RE1L002SN - описание и поиск аналогов

 

RE1L002SN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RE1L002SN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm

Тип корпуса: EMT3F

Аналог (замена) для RE1L002SN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RE1L002SN даташит

 ..1. Size:638K  rohm
 re1l002sn.pdf pdf_icon

RE1L002SN

RE1L002SN Nch 60V 250mA Small Signal MOSFET Datasheet lOutline VDSS 60V (3) EMT3F RDS(on) (Max.) 2.4W (1) ID 250mA (2) PD 150mW lFeatures lInner circuit 1) Low voltage drive(2.5V) makes this (1) Gate device ideal for partable equipment. (2) Source 2) Drive circuits can be simple. (3) Drain 3) Built-in G-S Protection Diode. *1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE

Другие MOSFET... RDX100N60FU6 , RDX120N50FU6 , RE1C001UN , RE1C001ZP , RE1C002UN , RE1C002ZP , RE1E002SP , RE1J002YN , IRFP250N , RF1S25N06 , RF1S30N06LE , RF1S30P06 , RF1S40N10 , RF1S540 , RF1S60P03 , RF1S640 , RF1S70N06 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.