Справочник MOSFET. RE1L002SN

 

RE1L002SN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RE1L002SN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: EMT3F
 

 Аналог (замена) для RE1L002SN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RE1L002SN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:638K  rohm
 re1l002sn.pdf pdf_icon

RE1L002SN

RE1L002SN Nch 60V 250mA Small Signal MOSFET DatasheetlOutlineVDSS60V(3) EMT3FRDS(on) (Max.)2.4W(1) ID250mA(2) PD150mWlFeatures lInner circuit1) Low voltage drive(2.5V) makes this(1) Gate device ideal for partable equipment.(2) Source 2) Drive circuits can be simple.(3) Drain 3) Built-in G-S Protection Diode.*1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE

Другие MOSFET... RDX100N60FU6 , RDX120N50FU6 , RE1C001UN , RE1C001ZP , RE1C002UN , RE1C002ZP , RE1E002SP , RE1J002YN , AON7408 , RF1S25N06 , RF1S30N06LE , RF1S30P06 , RF1S40N10 , RF1S540 , RF1S60P03 , RF1S640 , RF1S70N06 .

History: IRF721FI | JFPC13N50C

 

 
Back to Top

 


 
.