RF4C050AP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RF4C050AP
Código: SJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 55 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
Paquete / Cubierta: HUML2020L8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RF4C050AP
RF4C050AP Datasheet (PDF)
rf4c050ap.pdf
RF4C050APDatasheetPch -20V -10A Middle Power MOSFETlOutlinel HUML2020L8VDSS-20VRDS(on)(Max.) 26m ID 10A PD2W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package(HUML2020L8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4)
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