RF4C050AP Todos los transistores

 

RF4C050AP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RF4C050AP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm

Encapsulados: HUML2020L8

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RF4C050AP datasheet

 ..1. Size:2683K  rohm
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RF4C050AP

RF4C050AP Datasheet Pch -20V -10A Middle Power MOSFET lOutline l HUML2020L8 VDSS -20V RDS(on)(Max.) 26m ID 10A PD 2W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power small mold Package (HUML2020L8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4)

Otros transistores... RF1S30N06LE , RF1S30P06 , RF1S40N10 , RF1S540 , RF1S60P03 , RF1S640 , RF1S70N06 , RF1S9540 , AO3401 , RF4C100BC , RF4E070BN , RF4E070GN , RF4E075AT , RF4E080BN , RF4E080GN , RF4E110BN , RF4E110GN .

History: RZQ045P01TR | 2SK1493 | 2SK1499 | 2SK301 | AS2102W

 

 

 

 

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