RF4C050AP - описание и поиск аналогов

 

RF4C050AP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RF4C050AP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: HUML2020L8

Аналог (замена) для RF4C050AP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RF4C050AP даташит

 ..1. Size:2683K  rohm
 rf4c050ap.pdf pdf_icon

RF4C050AP

RF4C050AP Datasheet Pch -20V -10A Middle Power MOSFET lOutline l HUML2020L8 VDSS -20V RDS(on)(Max.) 26m ID 10A PD 2W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power small mold Package (HUML2020L8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4)

Другие MOSFET... RF1S30N06LE , RF1S30P06 , RF1S40N10 , RF1S540 , RF1S60P03 , RF1S640 , RF1S70N06 , RF1S9540 , AO3401 , RF4C100BC , RF4E070BN , RF4E070GN , RF4E075AT , RF4E080BN , RF4E080GN , RF4E110BN , RF4E110GN .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.