Справочник MOSFET. RF4C050AP

 

RF4C050AP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RF4C050AP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: HUML2020L8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RF4C050AP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2683K  rohm
 rf4c050ap.pdf pdf_icon

RF4C050AP

RF4C050APDatasheetPch -20V -10A Middle Power MOSFETlOutlinel HUML2020L8VDSS-20VRDS(on)(Max.) 26m ID 10A PD2W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package(HUML2020L8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4)

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: SSF80N06A | STP36N05LFI | SVF4N60RDM | 2SJ377 | RUS100N02 | 2N6756JANTX | STP53N06

 

 
Back to Top

 


 
.