Справочник MOSFET. RF4C050AP

 

RF4C050AP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RF4C050AP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: HUML2020L8
 

 Аналог (замена) для RF4C050AP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RF4C050AP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2683K  rohm
 rf4c050ap.pdf pdf_icon

RF4C050AP

RF4C050APDatasheetPch -20V -10A Middle Power MOSFETlOutlinel HUML2020L8VDSS-20VRDS(on)(Max.) 26m ID 10A PD2W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package(HUML2020L8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4)

Другие MOSFET... RF1S30N06LE , RF1S30P06 , RF1S40N10 , RF1S540 , RF1S60P03 , RF1S640 , RF1S70N06 , RF1S9540 , AO3400 , RF4C100BC , RF4E070BN , RF4E070GN , RF4E075AT , RF4E080BN , RF4E080GN , RF4E110BN , RF4E110GN .

History: WMM07N60C4 | IRFB4310ZPBF | SSF6025 | 1H10 | WSD2098

 

 
Back to Top

 


 
.