RFD7N10LESM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RFD7N10LESM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 47 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: TO252AA

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RFD7N10LESM datasheet

 5.1. Size:136K  harris semi
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RFD7N10LESM

RFD7N10LE, RFD7N10LESM S E M I C O N D U C T O R RFP7N10LE 7A, 100V, ESD Rated, Avalanche Rated, Logic Level N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs (MegaFETs) February 1994 Features Packaging JEDEC TO-220AB 7A, 100V TOP VIEW rDS(ON) = 0.300 SOURCE 2KV ESD Protected DRAIN DRAIN (FLANGE) Temperature Compensating PSPICE Model GATE Can be Driven Directly fr

 5.2. Size:101K  intersil
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RFD7N10LESM

RFD7N10LE, RFD7N10LESM Data Sheet October 1999 File Number 3598.3 7A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel, Logic Features Level, Power MOSFETs 7A, 100V These N-Channel power MOSFETs are manufactured using rDS(ON) = 0.300 a modern process. This process, which uses feature sizes Temperature Compensating PSPICE Model approaching those of LSI integrated circuits gives optimum util

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