RFD7N10LESM Todos los transistores

 

RFD7N10LESM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RFD7N10LESM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 47 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252AA
     - Selección de transistores por parámetros

 

RFD7N10LESM Datasheet (PDF)

 5.1. Size:136K  harris semi
 rfd7n10le-sm rfp7n10le.pdf pdf_icon

RFD7N10LESM

RFD7N10LE, RFD7N10LESMS E M I C O N D U C T O RRFP7N10LE7A, 100V, ESD Rated, Avalanche Rated, Logic LevelN-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs (MegaFETs)February 1994Features PackagingJEDEC TO-220AB 7A, 100VTOP VIEW rDS(ON) = 0.300SOURCE 2KV ESD ProtectedDRAINDRAIN(FLANGE) Temperature Compensating PSPICE Model GATE Can be Driven Directly fr

 5.2. Size:101K  intersil
 rfd7n10le-sm.pdf pdf_icon

RFD7N10LESM

RFD7N10LE, RFD7N10LESMData Sheet October 1999 File Number 3598.37A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel, Logic FeaturesLevel, Power MOSFETs 7A, 100VThese N-Channel power MOSFETs are manufactured using rDS(ON) = 0.300a modern process. This process, which uses feature sizes Temperature Compensating PSPICE Modelapproaching those of LSI integrated circuits gives optimumutil

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History: VS3620DP-G | 2SJ152

 

 
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