RFD7N10LESM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RFD7N10LESM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO252AA

Аналог (замена) для RFD7N10LESM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFD7N10LESM даташит

 5.1. Size:136K  harris semi
 rfd7n10le-sm rfp7n10le.pdf pdf_icon

RFD7N10LESM

RFD7N10LE, RFD7N10LESM S E M I C O N D U C T O R RFP7N10LE 7A, 100V, ESD Rated, Avalanche Rated, Logic Level N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs (MegaFETs) February 1994 Features Packaging JEDEC TO-220AB 7A, 100V TOP VIEW rDS(ON) = 0.300 SOURCE 2KV ESD Protected DRAIN DRAIN (FLANGE) Temperature Compensating PSPICE Model GATE Can be Driven Directly fr

 5.2. Size:101K  intersil
 rfd7n10le-sm.pdf pdf_icon

RFD7N10LESM

RFD7N10LE, RFD7N10LESM Data Sheet October 1999 File Number 3598.3 7A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel, Logic Features Level, Power MOSFETs 7A, 100V These N-Channel power MOSFETs are manufactured using rDS(ON) = 0.300 a modern process. This process, which uses feature sizes Temperature Compensating PSPICE Model approaching those of LSI integrated circuits gives optimum util

Другие IGBT... RFD3055LE, RFD3055LESM, RFD3055SM, RFD3N08L, RFD3N08LSM, RFD4N06L, RFD4N06LSM, RFD7N10LE, IRF640N, RFD8P05, RFD8P05SM, RFD8P06E, RFD8P06ESM, RFD8P06LE, RFD8P06LESM, RFF60P06, RFF70N06