RF4E110BN Todos los transistores

 

RF4E110BN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RF4E110BN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0111 Ohm

Encapsulados: HUML2020L8

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RF4E110BN datasheet

 ..1. Size:428K  rohm
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RF4E110BN

RF4E110BN Nch 30V 11A Power MOSFET Datasheet lOutline (6) VDSS 30V (5) HUML2020L8 (4) RDS(on) at 10V (Max.) 11.1mW (4) (1) (5) (8) RDS(on) at 4.5V (Max.) (2) (6) 15.4mW (3) (7) ID 11A (3) (2) PD 2.0W (1) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Drain (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HUML2020L8). (2) Drain (6) Drain (3) Gate (7)

 7.1. Size:441K  rohm
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RF4E110BN

RF4E110GN Nch 30V 11A Power MOSFET Datasheet lOutline (6) VDSS (5) 30V HUML2020L8 (4) RDS(on) at 10V (Max.) 11.3mW (4) (1) (5) (8) (2) (6) RDS(on) at 4.5V (Max.) 15.3mW (3) (7) ID 11A (3) (2) PD (1) 2.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Drain (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HUML2020L8). (2) Drain (6) Drain (3) Gate

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History: RUE002N02

 

 

 

 

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