Справочник MOSFET. RF4E110BN

 

RF4E110BN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RF4E110BN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0111 Ohm
   Тип корпуса: HUML2020L8
 

 Аналог (замена) для RF4E110BN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RF4E110BN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:428K  rohm
 rf4e110bn.pdf pdf_icon

RF4E110BN

RF4E110BN Nch 30V 11A Power MOSFET DatasheetlOutline(6) VDSS30V (5) HUML2020L8(4) RDS(on) at 10V (Max.)11.1mW(4) (1) (5) (8) RDS(on) at 4.5V (Max.) (2) (6) 15.4mW(3) (7) ID11A(3) (2) PD2.0W (1) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Drain (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HUML2020L8).(2) Drain (6) Drain (3) Gate (7)

 7.1. Size:441K  rohm
 rf4e110gn.pdf pdf_icon

RF4E110BN

RF4E110GN Nch 30V 11A Power MOSFET DatasheetlOutline(6) VDSS (5) 30VHUML2020L8(4) RDS(on) at 10V (Max.)11.3mW(4) (1) (5) (8) (2) (6) RDS(on) at 4.5V (Max.)15.3mW(3) (7) ID11A(3) (2) PD (1) 2.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Drain (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HUML2020L8).(2) Drain (6) Drain (3) Gate

Другие MOSFET... RF1S9540 , RF4C050AP , RF4C100BC , RF4E070BN , RF4E070GN , RF4E075AT , RF4E080BN , RF4E080GN , TK10A60D , RF4E110GN , RF6E045AJ , SIS322DNT , SIS330DN , SIS332DN , SIS334DN , SIS376DN , SIS402DN .

History: RUH60100M | WMS12P03T1

 

 
Back to Top

 


 
.