Справочник MOSFET. RF4E110BN

 

RF4E110BN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RF4E110BN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0111 Ohm
   Тип корпуса: HUML2020L8

 Аналог (замена) для RF4E110BN

 

 

RF4E110BN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:428K  rohm
 rf4e110bn.pdf

RF4E110BN RF4E110BN

RF4E110BN Nch 30V 11A Power MOSFET DatasheetlOutline(6) VDSS30V (5) HUML2020L8(4) RDS(on) at 10V (Max.)11.1mW(4) (1) (5) (8) RDS(on) at 4.5V (Max.) (2) (6) 15.4mW(3) (7) ID11A(3) (2) PD2.0W (1) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Drain (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HUML2020L8).(2) Drain (6) Drain (3) Gate (7)

 7.1. Size:441K  rohm
 rf4e110gn.pdf

RF4E110BN RF4E110BN

RF4E110GN Nch 30V 11A Power MOSFET DatasheetlOutline(6) VDSS (5) 30VHUML2020L8(4) RDS(on) at 10V (Max.)11.3mW(4) (1) (5) (8) (2) (6) RDS(on) at 4.5V (Max.)15.3mW(3) (7) ID11A(3) (2) PD (1) 2.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Drain (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HUML2020L8).(2) Drain (6) Drain (3) Gate

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top