RF6E045AJ Todos los transistores

 

RF6E045AJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RF6E045AJ
   Código: CJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0237 Ohm
   Paquete / Cubierta: TUMT6
 

 Búsqueda de reemplazo de RF6E045AJ MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RF6E045AJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2864K  rohm
 rf6e045aj.pdf pdf_icon

RF6E045AJ

RF6E045AJDatasheetNch 30V 4.5A Middle Power MOSFETlOutlinel TUMT6VDSS30VRDS(on)(Max.) 23.7mID 4.5APD1W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power Package (TUMT6).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackaging sp

Otros transistores... RF4C100BC , RF4E070BN , RF4E070GN , RF4E075AT , RF4E080BN , RF4E080GN , RF4E110BN , RF4E110GN , 4N60 , SIS322DNT , SIS330DN , SIS332DN , SIS334DN , SIS376DN , SIS402DN , SIS406DN , SIS407ADN .

History: SI5411EDU | WST2305 | IRF7379TR

 

 
Back to Top

 


 
.