RF6E045AJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RF6E045AJ
Código: CJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 8.1 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0237 Ohm
Paquete / Cubierta: TUMT6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RF6E045AJ
RF6E045AJ Datasheet (PDF)
rf6e045aj.pdf
RF6E045AJDatasheetNch 30V 4.5A Middle Power MOSFETlOutlinel TUMT6VDSS30VRDS(on)(Max.) 23.7mID 4.5APD1W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power Package (TUMT6).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackaging sp
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Liste
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