RF6E045AJ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RF6E045AJ
Маркировка: CJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.1 nC
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0237 Ohm
Тип корпуса: TUMT6
RF6E045AJ Datasheet (PDF)
..1. Size:2864K rohm
rf6e045aj.pdf
rf6e045aj.pdf
RF6E045AJDatasheetNch 30V 4.5A Middle Power MOSFETlOutlinel TUMT6VDSS30VRDS(on)(Max.) 23.7mID 4.5APD1W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power Package (TUMT6).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackaging sp
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
