Справочник MOSFET. RF6E045AJ

 

RF6E045AJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RF6E045AJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0237 Ohm
   Тип корпуса: TUMT6
 

 Аналог (замена) для RF6E045AJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RF6E045AJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2864K  rohm
 rf6e045aj.pdf pdf_icon

RF6E045AJ

RF6E045AJDatasheetNch 30V 4.5A Middle Power MOSFETlOutlinel TUMT6VDSS30VRDS(on)(Max.) 23.7mID 4.5APD1W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power Package (TUMT6).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackaging sp

Другие MOSFET... RF4C100BC , RF4E070BN , RF4E070GN , RF4E075AT , RF4E080BN , RF4E080GN , RF4E110BN , RF4E110GN , 4N60 , SIS322DNT , SIS330DN , SIS332DN , SIS334DN , SIS376DN , SIS402DN , SIS406DN , SIS407ADN .

History: WSP4805 | ISCNL343D

 

 
Back to Top

 


 
.