RF6E045AJ - описание и поиск аналогов

 

RF6E045AJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RF6E045AJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0237 Ohm

Тип корпуса: TUMT6

Аналог (замена) для RF6E045AJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RF6E045AJ даташит

 ..1. Size:2864K  rohm
 rf6e045aj.pdf pdf_icon

RF6E045AJ

RF6E045AJ Datasheet Nch 30V 4.5A Middle Power MOSFET lOutline l TUMT6 VDSS 30V RDS(on)(Max.) 23.7m ID 4.5A PD 1W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power Package (TUMT6). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lPackaging sp

Другие MOSFET... RF4C100BC , RF4E070BN , RF4E070GN , RF4E075AT , RF4E080BN , RF4E080GN , RF4E110BN , RF4E110GN , 12N60 , SIS322DNT , SIS330DN , SIS332DN , SIS334DN , SIS376DN , SIS402DN , SIS406DN , SIS407ADN .

History: SI2312CDS | SML4030BN | SI2336DS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.