SIS322DNT Todos los transistores

 

SIS322DNT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIS322DNT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 287 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: 1212-8

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SIS322DNT datasheet

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SIS322DNT

New Product SiS322DNT Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0075 at VGS = 10 V 38.3 Thin 0.75 mm height 30 6.9 nC 0.0120 at VGS = 4.5 V 30.2 Material categorization For definitions of compliance please see Thin PowerPAK

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