Справочник MOSFET. SIS322DNT

 

SIS322DNT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIS322DNT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 287 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: 1212-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS322DNT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:129K  vishay
 sis322dnt.pdf pdf_icon

SIS322DNT

New ProductSiS322DNTVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0075 at VGS = 10 V 38.3 Thin 0.75 mm height30 6.9 nC0.0120 at VGS = 4.5 V 30.2 Material categorization:For definitions of compliance please see Thin PowerPAK

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: VBZFB40N10 | WMK05N70MM | ME13N10A-G | 2SK3776-01 | FIR12N60FG | AUIRFS8409-7P | IPP120N20NFD

 

 
Back to Top

 


 
.