Справочник MOSFET. SIS322DNT

 

SIS322DNT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIS322DNT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 287 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: 1212-8
 

 Аналог (замена) для SIS322DNT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS322DNT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:129K  vishay
 sis322dnt.pdf pdf_icon

SIS322DNT

New ProductSiS322DNTVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0075 at VGS = 10 V 38.3 Thin 0.75 mm height30 6.9 nC0.0120 at VGS = 4.5 V 30.2 Material categorization:For definitions of compliance please see Thin PowerPAK

Другие MOSFET... RF4E070BN , RF4E070GN , RF4E075AT , RF4E080BN , RF4E080GN , RF4E110BN , RF4E110GN , RF6E045AJ , 4435 , SIS330DN , SIS332DN , SIS334DN , SIS376DN , SIS402DN , SIS406DN , SIS407ADN , SIS407DN .

History: WNMD2167 | WMN26N65SR | STI57N65M5

 

 
Back to Top

 


 
.