SIS322DNT - описание и поиск аналогов

 

SIS322DNT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIS322DNT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 287 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: 1212-8

Аналог (замена) для SIS322DNT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS322DNT даташит

 ..1. Size:129K  vishay
 sis322dnt.pdf pdf_icon

SIS322DNT

New Product SiS322DNT Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0075 at VGS = 10 V 38.3 Thin 0.75 mm height 30 6.9 nC 0.0120 at VGS = 4.5 V 30.2 Material categorization For definitions of compliance please see Thin PowerPAK

Другие MOSFET... RF4E070BN , RF4E070GN , RF4E075AT , RF4E080BN , RF4E080GN , RF4E110BN , RF4E110GN , RF6E045AJ , 5N65 , SIS330DN , SIS332DN , SIS334DN , SIS376DN , SIS402DN , SIS406DN , SIS407ADN , SIS407DN .

History: SWD6N65D | FQD1N60C

 

 

 

 

↑ Back to Top
.