SIS402DN Todos los transistores

 

SIS402DN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIS402DN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: 1212-8

 Búsqueda de reemplazo de SIS402DN MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SIS402DN datasheet

 ..1. Size:549K  vishay
 sis402dn.pdf pdf_icon

SIS402DN

SiS402DN Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) Definition 0.006 at VGS = 10 V 35 TrenchFET Power MOSFET 30 12 nC 0.008 at VGS = 4.5 V 35 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK 1212-8 APPLICATION

 9.1. Size:532K  vishay
 sis406dn.pdf pdf_icon

SIS402DN

New Product SiS406DN Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFET 0.011 at VGS = 10 V 14 30 PWM Optimized RoHS 0.0145 at VGS = 4.5 V 12.2 COMPLIANT New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested AP

 9.2. Size:621K  vishay
 sis407adn.pdf pdf_icon

SIS402DN

SiS407ADN www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) f, g Qg (TYP.) Low thermal resistance PowerPAK package 0.009 at VGS = -4.5 V -18 100 % Rg and UIS tested -20 0.0122 at VGS = -2.5 V -18 63 nC Material categorization 0.0190 at VGS = -1.8 V -18 For definitions o

 9.3. Size:531K  vishay
 sis407dn.pdf pdf_icon

SIS402DN

New Product SiS407DN Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)e, f Qg (Typ.) Definition 0.0095 at VGS = - 4.5 V - 25 TrenchFET Power MOSFET - 20 0.0138 at VGS = - 2.5 V - 25 38 nC Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Small Size and Low 1.07 mm 0.0195 at VGS

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... RF4E110BN , RF4E110GN , RF6E045AJ , SIS322DNT , SIS330DN , SIS332DN , SIS334DN , SIS376DN , CS150N03A8 , SIS406DN , SIS407ADN , SIS407DN , SIS410DN , SIS412DN , SIS413DN , SIS414DN , SIS424DN .

History: SWF13N80K | ZXMHC3F381N8 | ZXMHC3A01N8 | BM2300 | BRI7N60 | DF11MR12W1M1PB11

 

 

 

 

↑ Back to Top
.