SIS402DN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SIS402DN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: 1212-8
Аналог (замена) для SIS402DN
SIS402DN Datasheet (PDF)
sis402dn.pdf

SiS402DNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition0.006 at VGS = 10 V 35 TrenchFET Power MOSFET30 12 nC0.008 at VGS = 4.5 V 35 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK 1212-8APPLICATION
sis406dn.pdf

New ProductSiS406DNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = 10 V 1430 PWM OptimizedRoHS0.0145 at VGS = 4.5 V 12.2COMPLIANT New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAP
sis407adn.pdf

SiS407ADNwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) f, g Qg (TYP.) Low thermal resistance PowerPAK package0.009 at VGS = -4.5 V -18 100 % Rg and UIS tested-20 0.0122 at VGS = -2.5 V -18 63 nC Material categorization: 0.0190 at VGS = -1.8 V -18For definitions o
sis407dn.pdf

New ProductSiS407DNVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e, f Qg (Typ.)Definition0.0095 at VGS = - 4.5 V - 25 TrenchFET Power MOSFET- 20 0.0138 at VGS = - 2.5 V - 25 38 nC Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Small Size and Low 1.07 mm0.0195 at VGS
Другие MOSFET... RF4E110BN , RF4E110GN , RF6E045AJ , SIS322DNT , SIS330DN , SIS332DN , SIS334DN , SIS376DN , 5N65 , SIS406DN , SIS407ADN , SIS407DN , SIS410DN , SIS412DN , SIS413DN , SIS414DN , SIS424DN .
History: STD52P3LLH6 | STFW1N105K3 | 2SK3609-01 | KP750A1 | SSM3J313T | R6024KNZ1 | 2SJ492
History: STD52P3LLH6 | STFW1N105K3 | 2SK3609-01 | KP750A1 | SSM3J313T | R6024KNZ1 | 2SJ492



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet