Справочник MOSFET. SIS402DN

 

SIS402DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIS402DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: 1212-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS402DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:549K  vishay
sis402dn.pdfpdf_icon

SIS402DN

SiS402DNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition0.006 at VGS = 10 V 35 TrenchFET Power MOSFET30 12 nC0.008 at VGS = 4.5 V 35 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK 1212-8APPLICATION

 9.1. Size:532K  vishay
sis406dn.pdfpdf_icon

SIS402DN

New ProductSiS406DNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = 10 V 1430 PWM OptimizedRoHS0.0145 at VGS = 4.5 V 12.2COMPLIANT New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAP

 9.2. Size:621K  vishay
sis407adn.pdfpdf_icon

SIS402DN

SiS407ADNwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) f, g Qg (TYP.) Low thermal resistance PowerPAK package0.009 at VGS = -4.5 V -18 100 % Rg and UIS tested-20 0.0122 at VGS = -2.5 V -18 63 nC Material categorization: 0.0190 at VGS = -1.8 V -18For definitions o

 9.3. Size:531K  vishay
sis407dn.pdfpdf_icon

SIS402DN

New ProductSiS407DNVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e, f Qg (Typ.)Definition0.0095 at VGS = - 4.5 V - 25 TrenchFET Power MOSFET- 20 0.0138 at VGS = - 2.5 V - 25 38 nC Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Small Size and Low 1.07 mm0.0195 at VGS

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STD16NF06T4 | JCS5N50CT | NTMS4177PR | NVMFS5C628N | SI7913DN | NCEP026N10F | MC11N005

 

 
Back to Top

 


 
.