SIS402DN - описание и поиск аналогов

 

SIS402DN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIS402DN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: 1212-8

Аналог (замена) для SIS402DN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS402DN даташит

 ..1. Size:549K  vishay
sis402dn.pdfpdf_icon

SIS402DN

SiS402DN Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) Definition 0.006 at VGS = 10 V 35 TrenchFET Power MOSFET 30 12 nC 0.008 at VGS = 4.5 V 35 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK 1212-8 APPLICATION

 9.1. Size:532K  vishay
sis406dn.pdfpdf_icon

SIS402DN

New Product SiS406DN Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFET 0.011 at VGS = 10 V 14 30 PWM Optimized RoHS 0.0145 at VGS = 4.5 V 12.2 COMPLIANT New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested AP

 9.2. Size:621K  vishay
sis407adn.pdfpdf_icon

SIS402DN

SiS407ADN www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) f, g Qg (TYP.) Low thermal resistance PowerPAK package 0.009 at VGS = -4.5 V -18 100 % Rg and UIS tested -20 0.0122 at VGS = -2.5 V -18 63 nC Material categorization 0.0190 at VGS = -1.8 V -18 For definitions o

 9.3. Size:531K  vishay
sis407dn.pdfpdf_icon

SIS402DN

New Product SiS407DN Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)e, f Qg (Typ.) Definition 0.0095 at VGS = - 4.5 V - 25 TrenchFET Power MOSFET - 20 0.0138 at VGS = - 2.5 V - 25 38 nC Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Small Size and Low 1.07 mm 0.0195 at VGS

Другие MOSFET... RF4E110BN , RF4E110GN , RF6E045AJ , SIS322DNT , SIS330DN , SIS332DN , SIS334DN , SIS376DN , CS150N03A8 , SIS406DN , SIS407ADN , SIS407DN , SIS410DN , SIS412DN , SIS413DN , SIS414DN , SIS424DN .

History: IRF730PBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.