SIS468DN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIS468DN  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0195 Ohm

Encapsulados: 1212-8

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SIS468DN datasheet

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SIS468DN

SiS468DN Vishay Siliconix N-Channel 80 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0195 at VGS = 10 V 30g Capable of Operating with 5 V Gate Drive 80 0.0210 at VGS = 7.5 V 30g 8.7 nC Material categorization For definitions of compliance please see 0.0320 at VGS = 4.5 V

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