SIS468DN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIS468DN  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0195 Ohm

Тип корпуса: 1212-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SIS468DN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS468DN даташит

 ..1. Size:564K  vishay
 sis468dn.pdf pdf_icon

SIS468DN

SiS468DN Vishay Siliconix N-Channel 80 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0195 at VGS = 10 V 30g Capable of Operating with 5 V Gate Drive 80 0.0210 at VGS = 7.5 V 30g 8.7 nC Material categorization For definitions of compliance please see 0.0320 at VGS = 4.5 V

Другие IGBT... SIS438DN, SIS439DNT, SIS443DN, SIS444DN, SIS447DN, SIS452DN, SIS454DN, SIS456DN, 8N60, SIS472ADN, SIS472DN, SIS476DN, SIS478DN, SIS496EDNT, SIS612EDNT, SIS698DN, SIS778DN