Справочник MOSFET. SIS468DN

 

SIS468DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIS468DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0195 Ohm
   Тип корпуса: 1212-8
 

 Аналог (замена) для SIS468DN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS468DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:564K  vishay
 sis468dn.pdf pdf_icon

SIS468DN

SiS468DNVishay SiliconixN-Channel 80 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0195 at VGS = 10 V 30g Capable of Operating with 5 V Gate Drive80 0.0210 at VGS = 7.5 V 30g 8.7 nC Material categorization:For definitions of compliance please see0.0320 at VGS = 4.5 V

Другие MOSFET... SIS438DN , SIS439DNT , SIS443DN , SIS444DN , SIS447DN , SIS452DN , SIS454DN , SIS456DN , K2611 , SIS472ADN , SIS472DN , SIS476DN , SIS478DN , SIS496EDNT , SIS612EDNT , SIS698DN , SIS778DN .

History: ME4174-G | NDP408A | HU5N50 | STB24NM60N | DH019N04I | IXFA4N100Q

 

 
Back to Top

 


 
.