SIS612EDNT Todos los transistores

 

SIS612EDNT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIS612EDNT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 558 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm
   Paquete / Cubierta: 1212-8
 

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SIS612EDNT Datasheet (PDF)

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SIS612EDNT

SiS612EDNTwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)f, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0039 at VGS = 4.5 V 50 Low Thermal Resistance PowerPAK Package 20 0.0042 at VGS = 3.7 V 50 22.5 nCwith Small Size and 0.75 mm Profile0.0058 at VGS = 2.5 V 50 Typical ESD

Otros transistores... SIS454DN , SIS456DN , SIS468DN , SIS472ADN , SIS472DN , SIS476DN , SIS478DN , SIS496EDNT , NCEP15T14 , SIS698DN , SIS778DN , SIS780DN , SIS782DN , SIS822DNT , SIS862DN , SIS888DN , SIS890DN .

History: NTMS4872NR2G | JCS9N50RC | IPP070N06LG | NCES120R018T4 | STB85NF55L | STB30NF10

 

 
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