Справочник MOSFET. SIS612EDNT

 

SIS612EDNT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIS612EDNT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 558 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
   Тип корпуса: 1212-8
 

 Аналог (замена) для SIS612EDNT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS612EDNT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:152K  vishay
 sis612ednt.pdf pdf_icon

SIS612EDNT

SiS612EDNTwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)f, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0039 at VGS = 4.5 V 50 Low Thermal Resistance PowerPAK Package 20 0.0042 at VGS = 3.7 V 50 22.5 nCwith Small Size and 0.75 mm Profile0.0058 at VGS = 2.5 V 50 Typical ESD

Другие MOSFET... SIS454DN , SIS456DN , SIS468DN , SIS472ADN , SIS472DN , SIS476DN , SIS478DN , SIS496EDNT , NCEP15T14 , SIS698DN , SIS778DN , SIS780DN , SIS782DN , SIS822DNT , SIS862DN , SIS888DN , SIS890DN .

History: KHB9D0N50F2 | IPD65R660CFD | IXTP86N20T | SML10S75XX | WVM6N100 | APT1003RKFLLG

 

 
Back to Top

 


 
.