SIS612EDNT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIS612EDNT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 558 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm

Тип корпуса: 1212-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SIS612EDNT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS612EDNT даташит

 ..1. Size:152K  vishay
 sis612ednt.pdf pdf_icon

SIS612EDNT

SiS612EDNT www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)f, g Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0039 at VGS = 4.5 V 50 Low Thermal Resistance PowerPAK Package 20 0.0042 at VGS = 3.7 V 50 22.5 nC with Small Size and 0.75 mm Profile 0.0058 at VGS = 2.5 V 50 Typical ESD

Другие IGBT... SIS454DN, SIS456DN, SIS468DN, SIS472ADN, SIS472DN, SIS476DN, SIS478DN, SIS496EDNT, IRF1405, SIS698DN, SIS778DN, SIS780DN, SIS782DN, SIS822DNT, SIS862DN, SIS888DN, SIS890DN