SIS698DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIS698DN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.195 Ohm
Paquete / Cubierta: 1212-8
Búsqueda de reemplazo de SIS698DN MOSFET
SIS698DN Datasheet (PDF)
sis698dn.pdf

SiS698DNVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.195 at VGS = 10 V 6.9 TrenchFET Power MOSFET100 5.2 nC0.230 at VGS = 6 V 6.4 100 % Rg and UIS Tested Low Qg for High EfficiencyPowerPAK 1212-8 Compliant to RoHS Directive 200
Otros transistores... SIS456DN , SIS468DN , SIS472ADN , SIS472DN , SIS476DN , SIS478DN , SIS496EDNT , SIS612EDNT , MMIS60R580P , SIS778DN , SIS780DN , SIS782DN , SIS822DNT , SIS862DN , SIS888DN , SIS890DN , SIS892ADN .
History: HM3205B | ET2316 | IRFIB6N60APBF | FS10KM-5 | ELM18814BA | STS8201 | IRLR8103VPBF
History: HM3205B | ET2316 | IRFIB6N60APBF | FS10KM-5 | ELM18814BA | STS8201 | IRLR8103VPBF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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