SIS698DN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIS698DN  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.195 Ohm

Тип корпуса: 1212-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SIS698DN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS698DN даташит

 ..1. Size:571K  vishay
 sis698dn.pdf pdf_icon

SIS698DN

SiS698DN Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.195 at VGS = 10 V 6.9 TrenchFET Power MOSFET 100 5.2 nC 0.230 at VGS = 6 V 6.4 100 % Rg and UIS Tested Low Qg for High Efficiency PowerPAK 1212-8 Compliant to RoHS Directive 200

Другие IGBT... SIS456DN, SIS468DN, SIS472ADN, SIS472DN, SIS476DN, SIS478DN, SIS496EDNT, SIS612EDNT, 7N60, SIS778DN, SIS780DN, SIS782DN, SIS822DNT, SIS862DN, SIS888DN, SIS890DN, SIS892ADN