Справочник MOSFET. SIS698DN

 

SIS698DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIS698DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.195 Ohm
   Тип корпуса: 1212-8
 

 Аналог (замена) для SIS698DN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS698DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:571K  vishay
 sis698dn.pdf pdf_icon

SIS698DN

SiS698DNVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.195 at VGS = 10 V 6.9 TrenchFET Power MOSFET100 5.2 nC0.230 at VGS = 6 V 6.4 100 % Rg and UIS Tested Low Qg for High EfficiencyPowerPAK 1212-8 Compliant to RoHS Directive 200

Другие MOSFET... SIS456DN , SIS468DN , SIS472ADN , SIS472DN , SIS476DN , SIS478DN , SIS496EDNT , SIS612EDNT , MMIS60R580P , SIS778DN , SIS780DN , SIS782DN , SIS822DNT , SIS862DN , SIS888DN , SIS890DN , SIS892ADN .

History: SPTA60R130E | VN66AD | STB3NK60Z | IPI051N15N5 | HA210N06 | NCE8601B | SIHG17N80E

 

 
Back to Top

 


 
.