SIS780DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIS780DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 194 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
   Paquete / Cubierta: 1212-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIS780DN

SIS780DN Datasheet (PDF)

..1. Size:575K vishay
sis780dn.pdf

New ProductSiS780DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)Definition SkyFET Monolithic TrenchFET Gen III 0.0135 at VGS = 10 V 18a30 7.3 nCPower MOSFET and Schottky Diode0.0175 at VGS = 4.5 V 18a 100 % Rg and UIS Tested

9.1. Size:565K vishay
sis782dn.pdf

SiS782DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)e Qg (Typ.) SkyFET Monolithic TrenchFET Power MOSFET0.0095 at VGS = 10 V 1630 9.5 nCand Schottky Diode0.0120 at VGS = 4.5 V 16 Low Thermal Resistance PowerPAK Packagewith Sm

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History: VBZM60P03 | NTS2101PT1 | BUK7Y53-100B

Liste

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