SIS780DN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIS780DN  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 194 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm

Тип корпуса: 1212-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SIS780DN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS780DN даташит

 ..1. Size:575K  vishay
 sis780dn.pdf pdf_icon

SIS780DN

New Product SiS780DN Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A) Definition SkyFET Monolithic TrenchFET Gen III 0.0135 at VGS = 10 V 18a 30 7.3 nC Power MOSFET and Schottky Diode 0.0175 at VGS = 4.5 V 18a 100 % Rg and UIS Tested

 9.1. Size:565K  vishay
 sis782dn.pdf pdf_icon

SIS780DN

SiS782DN Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Definition ID (A)e Qg (Typ.) SkyFET Monolithic TrenchFET Power MOSFET 0.0095 at VGS = 10 V 16 30 9.5 nC and Schottky Diode 0.0120 at VGS = 4.5 V 16 Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Sm

Другие IGBT... SIS472ADN, SIS472DN, SIS476DN, SIS478DN, SIS496EDNT, SIS612EDNT, SIS698DN, SIS778DN, IRFZ46N, SIS782DN, SIS822DNT, SIS862DN, SIS888DN, SIS890DN, SIS892ADN, SIS892DN, SIS902DN