Справочник MOSFET. SIS780DN

 

SIS780DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIS780DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 194 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
   Тип корпуса: 1212-8
 

 Аналог (замена) для SIS780DN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS780DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:575K  vishay
 sis780dn.pdf pdf_icon

SIS780DN

New ProductSiS780DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)Definition SkyFET Monolithic TrenchFET Gen III 0.0135 at VGS = 10 V 18a30 7.3 nCPower MOSFET and Schottky Diode0.0175 at VGS = 4.5 V 18a 100 % Rg and UIS Tested

 9.1. Size:565K  vishay
 sis782dn.pdf pdf_icon

SIS780DN

SiS782DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)e Qg (Typ.) SkyFET Monolithic TrenchFET Power MOSFET0.0095 at VGS = 10 V 1630 9.5 nCand Schottky Diode0.0120 at VGS = 4.5 V 16 Low Thermal Resistance PowerPAK Packagewith Sm

Другие MOSFET... SIS472ADN , SIS472DN , SIS476DN , SIS478DN , SIS496EDNT , SIS612EDNT , SIS698DN , SIS778DN , STP65NF06 , SIS782DN , SIS822DNT , SIS862DN , SIS888DN , SIS890DN , SIS892ADN , SIS892DN , SIS902DN .

History: TJ15S10M3 | STI24NM60N

 

 
Back to Top

 


 
.