SIS822DNT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIS822DNT  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: 1212-8

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de SIS822DNT MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SIS822DNT datasheet

 ..1. Size:203K  vishay
 sis822dnt.pdf pdf_icon

SIS822DNT

SiS822DNT www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) a Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested 0.024 at VGS = 10 V 12 30 3.8 nC Thin 0.8 mm profile 0.030 at VGS = 4.5 V 12 Material categorization Thin PowerPAK 1212-8 Single For definitions of compliance please see D

Otros transistores... SIS476DN, SIS478DN, SIS496EDNT, SIS612EDNT, SIS698DN, SIS778DN, SIS780DN, SIS782DN, IRLB3034, SIS862DN, SIS888DN, SIS890DN, SIS892ADN, SIS892DN, SIS902DN, SIS990DN, SISA04DN