SIS822DNT Todos los transistores

 

SIS822DNT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIS822DNT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: 1212-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SIS822DNT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  vishay
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SIS822DNT

SiS822DNTwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) a Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.024 at VGS = 10 V 1230 3.8 nC Thin 0.8 mm profile0.030 at VGS = 4.5 V 12 Material categorization:Thin PowerPAK 1212-8 SingleFor definitions of compliance please seeD

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History: IPB020N04NG | TA75333 | MTN2N65I3 | FSJ9260D | FDS8333C | FCP16N60N | RTL035N03FRA

 

 
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