Справочник MOSFET. SIS822DNT

 

SIS822DNT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIS822DNT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: 1212-8
 

 Аналог (замена) для SIS822DNT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS822DNT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  vishay
 sis822dnt.pdf pdf_icon

SIS822DNT

SiS822DNTwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) a Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.024 at VGS = 10 V 1230 3.8 nC Thin 0.8 mm profile0.030 at VGS = 4.5 V 12 Material categorization:Thin PowerPAK 1212-8 SingleFor definitions of compliance please seeD

Другие MOSFET... SIS476DN , SIS478DN , SIS496EDNT , SIS612EDNT , SIS698DN , SIS778DN , SIS780DN , SIS782DN , 60N06 , SIS862DN , SIS888DN , SIS890DN , SIS892ADN , SIS892DN , SIS902DN , SIS990DN , SISA04DN .

History: RU60E25L | SJMN088R65F

 

 
Back to Top

 


 
.