SIS822DNT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIS822DNT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: 1212-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SIS822DNT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS822DNT даташит

 ..1. Size:203K  vishay
 sis822dnt.pdf pdf_icon

SIS822DNT

SiS822DNT www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) a Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested 0.024 at VGS = 10 V 12 30 3.8 nC Thin 0.8 mm profile 0.030 at VGS = 4.5 V 12 Material categorization Thin PowerPAK 1212-8 Single For definitions of compliance please see D

Другие IGBT... SIS476DN, SIS478DN, SIS496EDNT, SIS612EDNT, SIS698DN, SIS778DN, SIS780DN, SIS782DN, IRLB3034, SIS862DN, SIS888DN, SIS890DN, SIS892ADN, SIS892DN, SIS902DN, SIS990DN, SISA04DN