Справочник MOSFET. SIS822DNT

 

SIS822DNT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIS822DNT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: 1212-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS822DNT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  vishay
 sis822dnt.pdf pdf_icon

SIS822DNT

SiS822DNTwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) a Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.024 at VGS = 10 V 1230 3.8 nC Thin 0.8 mm profile0.030 at VGS = 4.5 V 12 Material categorization:Thin PowerPAK 1212-8 SingleFor definitions of compliance please seeD

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: DMP2066LSD | IRFBG20 | DMP2104LP | TK2P60D | DMN60H3D5SK3

 

 
Back to Top

 


 
.