SIS862DN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIS862DN  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 545 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: 1212-8

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de SIS862DN MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SIS862DN datasheet

 ..1. Size:553K  vishay
 sis862dn.pdf pdf_icon

SIS862DN

SiS862DN Vishay Siliconix N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0085 at VGS = 10 V 40g Capable of Operating with 5 V Gate Drive 60 0.0105 at VGS = 6.0 V 40g 8.7 nC Material categorization For definitions of compliance please see 0.0125 at VGS = 4.5 V

Otros transistores... SIS478DN, SIS496EDNT, SIS612EDNT, SIS698DN, SIS778DN, SIS780DN, SIS782DN, SIS822DNT, IRF9640, SIS888DN, SIS890DN, SIS892ADN, SIS892DN, SIS902DN, SIS990DN, SISA04DN, SISA10DN