Справочник MOSFET. SIS862DN

 

SIS862DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIS862DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 545 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: 1212-8
 

 Аналог (замена) для SIS862DN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS862DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:553K  vishay
 sis862dn.pdf pdf_icon

SIS862DN

SiS862DNVishay SiliconixN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0085 at VGS = 10 V 40g Capable of Operating with 5 V Gate Drive60 0.0105 at VGS = 6.0 V 40g 8.7 nC Material categorization:For definitions of compliance please see0.0125 at VGS = 4.5 V

Другие MOSFET... SIS478DN , SIS496EDNT , SIS612EDNT , SIS698DN , SIS778DN , SIS780DN , SIS782DN , SIS822DNT , AON7403 , SIS888DN , SIS890DN , SIS892ADN , SIS892DN , SIS902DN , SIS990DN , SISA04DN , SISA10DN .

History: NTTFS5826NLTAG | NCE30P28Q | HRP90N75K | KHB019N20F1 | WNM07N60 | STB20NM50T4 | WML26N60C4

 

 
Back to Top

 


 
.