SIS862DN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIS862DN  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 545 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: 1212-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SIS862DN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS862DN даташит

 ..1. Size:553K  vishay
 sis862dn.pdf pdf_icon

SIS862DN

SiS862DN Vishay Siliconix N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0085 at VGS = 10 V 40g Capable of Operating with 5 V Gate Drive 60 0.0105 at VGS = 6.0 V 40g 8.7 nC Material categorization For definitions of compliance please see 0.0125 at VGS = 4.5 V

Другие IGBT... SIS478DN, SIS496EDNT, SIS612EDNT, SIS698DN, SIS778DN, SIS780DN, SIS782DN, SIS822DNT, IRF9640, SIS888DN, SIS890DN, SIS892ADN, SIS892DN, SIS902DN, SIS990DN, SISA04DN, SISA10DN