Справочник MOSFET. SIS862DN

 

SIS862DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIS862DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 545 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: 1212-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS862DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:553K  vishay
 sis862dn.pdf pdf_icon

SIS862DN

SiS862DNVishay SiliconixN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0085 at VGS = 10 V 40g Capable of Operating with 5 V Gate Drive60 0.0105 at VGS = 6.0 V 40g 8.7 nC Material categorization:For definitions of compliance please see0.0125 at VGS = 4.5 V

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: STL25N15F4 | IRFZ48NLPBF | IRHN7450SE | IPI139N08N3G | KX12N65F | 2SK3987-01S | H4422S

 

 
Back to Top

 


 
.