SIS888DN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIS888DN  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm

Encapsulados: 1212-8S

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de SIS888DN MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SIS888DN datasheet

 ..1. Size:199K  vishay
 sis888dn.pdf pdf_icon

SIS888DN

SiS888DN www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 150 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY ThunderFET technology optimizes balance of VDS (V) RDS(on) ( ) (MAX.) ID (A)f Qg (TYP.) RDS(on), Qg, Qsw and Qoss 0.058 at VGS = 10 V 20.2 100 % Rg and UIS tested 150 7.6 nC 0.085 at VGS = 7.5 V 16.6 Material categorization For definitions of compliance please see Power

Otros transistores... SIS496EDNT, SIS612EDNT, SIS698DN, SIS778DN, SIS780DN, SIS782DN, SIS822DNT, SIS862DN, IRFB7545, SIS890DN, SIS892ADN, SIS892DN, SIS902DN, SIS990DN, SISA04DN, SISA10DN, SISA12ADN