SIS888DN Todos los transistores

 

SIS888DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIS888DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm
   Paquete / Cubierta: 1212-8S
 

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SIS888DN Datasheet (PDF)

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SIS888DN

SiS888DNwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET technology optimizes balance ofVDS (V) RDS(on) () (MAX.) ID (A)f Qg (TYP.)RDS(on), Qg, Qsw and Qoss0.058 at VGS = 10 V 20.2 100 % Rg and UIS tested150 7.6 nC0.085 at VGS = 7.5 V 16.6 Material categorization:For definitions of compliance please seePower

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History: FDD8424HF085A | KMA3D7P20SA | FDD8453LZ | FRM240 | SFP026N100C3 | IPP26CN10N | TMAN10N80

 

 
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