Справочник MOSFET. SIS888DN

 

SIS888DN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SIS888DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: 1212-8S

 Аналог (замена) для SIS888DN

 

 

SIS888DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:199K  vishay
 sis888dn.pdf

SIS888DN SIS888DN

SiS888DNwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET technology optimizes balance ofVDS (V) RDS(on) () (MAX.) ID (A)f Qg (TYP.)RDS(on), Qg, Qsw and Qoss0.058 at VGS = 10 V 20.2 100 % Rg and UIS tested150 7.6 nC0.085 at VGS = 7.5 V 16.6 Material categorization:For definitions of compliance please seePower

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top