Справочник MOSFET. SIS888DN

 

SIS888DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIS888DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: 1212-8S
 

 Аналог (замена) для SIS888DN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS888DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:199K  vishay
 sis888dn.pdf pdf_icon

SIS888DN

SiS888DNwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET technology optimizes balance ofVDS (V) RDS(on) () (MAX.) ID (A)f Qg (TYP.)RDS(on), Qg, Qsw and Qoss0.058 at VGS = 10 V 20.2 100 % Rg and UIS tested150 7.6 nC0.085 at VGS = 7.5 V 16.6 Material categorization:For definitions of compliance please seePower

Другие MOSFET... SIS496EDNT , SIS612EDNT , SIS698DN , SIS778DN , SIS780DN , SIS782DN , SIS822DNT , SIS862DN , 8N60 , SIS890DN , SIS892ADN , SIS892DN , SIS902DN , SIS990DN , SISA04DN , SISA10DN , SISA12ADN .

History: WPM3022 | FDD6296 | IRLS3813PBF | SWJ7N80D | GSM4435W | NCEP048NH150 | NCE30H15BK

 

 
Back to Top

 


 
.