SIS888DN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIS888DN  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm

Тип корпуса: 1212-8S

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SIS888DN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS888DN даташит

 ..1. Size:199K  vishay
 sis888dn.pdf pdf_icon

SIS888DN

SiS888DN www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 150 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY ThunderFET technology optimizes balance of VDS (V) RDS(on) ( ) (MAX.) ID (A)f Qg (TYP.) RDS(on), Qg, Qsw and Qoss 0.058 at VGS = 10 V 20.2 100 % Rg and UIS tested 150 7.6 nC 0.085 at VGS = 7.5 V 16.6 Material categorization For definitions of compliance please see Power

Другие IGBT... SIS496EDNT, SIS612EDNT, SIS698DN, SIS778DN, SIS780DN, SIS782DN, SIS822DNT, SIS862DN, IRFB7545, SIS890DN, SIS892ADN, SIS892DN, SIS902DN, SIS990DN, SISA04DN, SISA10DN, SISA12ADN