SIS902DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIS902DN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.186 Ohm
Paquete / Cubierta: 1212-8
Búsqueda de reemplazo de SIS902DN MOSFET
SIS902DN Datasheet (PDF)
sis902dn.pdf
SiS902DNVishay SiliconixDual N-Channel 75-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.186 at VGS = 10 V 4e TrenchFET Power MOSFET75 2.1 nC0.228 at VGS = 4.5 V 4e Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested
Otros transistores... SIS780DN , SIS782DN , SIS822DNT , SIS862DN , SIS888DN , SIS890DN , SIS892ADN , SIS892DN , RU7088R , SIS990DN , SISA04DN , SISA10DN , SISA12ADN , SISA12DN , SISA14DN , SISA18ADN , SISA18DN .
History: SISA04DN
History: SISA04DN
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM601LL | AGM6018A | AGM6014AP | AGM6014A | AGM55P10S | AGM55P10D | AGM55P10A | AGM55N15D | AGM55N15A | AGM502 | AGM500P20D | AGM435E | AGM425ME | AGM425MD | AGM425MC | AGM425MA
Popular searches
2n2222 datasheet | irf9540 | 2n3055 datasheet | 2sc945 | irfp250n | irf9540n | bd139 datasheet | irf9640