SIS902DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIS902DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 3.9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.186 Ohm
   Paquete / Cubierta: 1212-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIS902DN

SIS902DN Datasheet (PDF)

..1. Size:93K vishay
sis902dn.pdf

SiS902DNVishay SiliconixDual N-Channel 75-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.186 at VGS = 10 V 4e TrenchFET Power MOSFET75 2.1 nC0.228 at VGS = 4.5 V 4e Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested

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Liste

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