SIS902DN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIS902DN  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.186 Ohm

Тип корпуса: 1212-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SIS902DN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS902DN даташит

 ..1. Size:93K  vishay
 sis902dn.pdf pdf_icon

SIS902DN

SiS902DN Vishay Siliconix Dual N-Channel 75-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.186 at VGS = 10 V 4e TrenchFET Power MOSFET 75 2.1 nC 0.228 at VGS = 4.5 V 4e Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested

Другие IGBT... SIS780DN, SIS782DN, SIS822DNT, SIS862DN, SIS888DN, SIS890DN, SIS892ADN, SIS892DN, RU7088R, SIS990DN, SISA04DN, SISA10DN, SISA12ADN, SISA12DN, SISA14DN, SISA18ADN, SISA18DN