SIS990DN Todos los transistores

 

SIS990DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIS990DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 73 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: 1212-8
 

 Búsqueda de reemplazo de SIS990DN MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SIS990DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:562K  vishay
 sis990dn.pdf pdf_icon

SIS990DN

SiS990DNVishay SiliconixDual N-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested Material categorization:0.085 at VGS = 10 V 12.1For definitions of compliance please see100 0.090 at VGS = 7.5 V 11.8 3.3 nCwww.vishay.com/doc?999120.105 at VGS = 6 V 10.9APPLICATI

Otros transistores... SIS782DN , SIS822DNT , SIS862DN , SIS888DN , SIS890DN , SIS892ADN , SIS892DN , SIS902DN , STP65NF06 , SISA04DN , SISA10DN , SISA12ADN , SISA12DN , SISA14DN , SISA18ADN , SISA18DN , SISS23DN .

History: AP70WN2K8I | SSP60R105SFD2 | R8002ANX | NCEP40T17A | R6046ANZ | RAF040P01 | SFP046N150C3

 

 
Back to Top

 


 
.