SIS990DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SIS990DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 73 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: 1212-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIS990DN

SIS990DN Datasheet (PDF)

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sis990dn.pdf

SiS990DNVishay SiliconixDual N-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested Material categorization:0.085 at VGS = 10 V 12.1For definitions of compliance please see100 0.090 at VGS = 7.5 V 11.8 3.3 nCwww.vishay.com/doc?999120.105 at VGS = 6 V 10.9APPLICATI

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History: STU310DH

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: