SIS990DN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIS990DN  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 73 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm

Encapsulados: 1212-8

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SIS990DN datasheet

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SIS990DN

SiS990DN Vishay Siliconix Dual N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested Material categorization 0.085 at VGS = 10 V 12.1 For definitions of compliance please see 100 0.090 at VGS = 7.5 V 11.8 3.3 nC www.vishay.com/doc?99912 0.105 at VGS = 6 V 10.9 APPLICATI

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