SIS990DN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIS990DN  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 73 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: 1212-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SIS990DN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS990DN даташит

 ..1. Size:562K  vishay
 sis990dn.pdf pdf_icon

SIS990DN

SiS990DN Vishay Siliconix Dual N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested Material categorization 0.085 at VGS = 10 V 12.1 For definitions of compliance please see 100 0.090 at VGS = 7.5 V 11.8 3.3 nC www.vishay.com/doc?99912 0.105 at VGS = 6 V 10.9 APPLICATI

Другие IGBT... SIS782DN, SIS822DNT, SIS862DN, SIS888DN, SIS890DN, SIS892ADN, SIS892DN, SIS902DN, MMIS60R580P, SISA04DN, SISA10DN, SISA12ADN, SISA12DN, SISA14DN, SISA18ADN, SISA18DN, SISS23DN