Справочник MOSFET. SIS990DN

 

SIS990DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIS990DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 73 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: 1212-8
 

 Аналог (замена) для SIS990DN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIS990DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:562K  vishay
 sis990dn.pdf pdf_icon

SIS990DN

SiS990DNVishay SiliconixDual N-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested Material categorization:0.085 at VGS = 10 V 12.1For definitions of compliance please see100 0.090 at VGS = 7.5 V 11.8 3.3 nCwww.vishay.com/doc?999120.105 at VGS = 6 V 10.9APPLICATI

Другие MOSFET... SIS782DN , SIS822DNT , SIS862DN , SIS888DN , SIS890DN , SIS892ADN , SIS892DN , SIS902DN , 2N7002 , SISA04DN , SISA10DN , SISA12ADN , SISA12DN , SISA14DN , SISA18ADN , SISA18DN , SISS23DN .

History: IRFP3006

 

 
Back to Top

 


 
.