SISA04DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SISA04DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 51 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1040 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00215 Ohm
   Paquete / Cubierta: 1212-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SISA04DN

SISA04DN Datasheet (PDF)

..1. Size:577K vishay
sisa04dn.pdf

New ProductSiSA04DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)f Qg (Typ.)Definition0.00215 at VGS = 10 V 40g TrenchFET Gen IV Power MOSFET30 22.5 nC0.0031 at VGS = 4.5 V 40g 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK 12

9.1. Size:240K vishay
sisa01dn.pdf

SiSA01DNwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8 SingleD TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFETD8D Provides exceptionally low RDS(ON) in a compact 7D6package that is thermally enhanced5 Enables higher power density 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of compliance 11

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: