SISA04DN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SISA04DN  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1040 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00215 Ohm

Encapsulados: 1212-8

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SISA04DN datasheet

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SISA04DN

New Product SiSA04DN Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) Definition 0.00215 at VGS = 10 V 40g TrenchFET Gen IV Power MOSFET 30 22.5 nC 0.0031 at VGS = 4.5 V 40g 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK 12

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SISA04DN

SiSA01DN www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK 1212-8 Single D TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFET D 8 D Provides exceptionally low RDS(ON) in a compact 7 D 6 package that is thermally enhanced 5 Enables higher power density 100 % Rg and UIS tested Material categorization for definitions of compliance 1 1

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