SISA04DN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SISA04DN  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1040 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00215 Ohm

Тип корпуса: 1212-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SISA04DN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SISA04DN даташит

 ..1. Size:577K  vishay
 sisa04dn.pdf pdf_icon

SISA04DN

New Product SiSA04DN Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) Definition 0.00215 at VGS = 10 V 40g TrenchFET Gen IV Power MOSFET 30 22.5 nC 0.0031 at VGS = 4.5 V 40g 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK 12

 9.1. Size:240K  vishay
 sisa01dn.pdf pdf_icon

SISA04DN

SiSA01DN www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK 1212-8 Single D TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFET D 8 D Provides exceptionally low RDS(ON) in a compact 7 D 6 package that is thermally enhanced 5 Enables higher power density 100 % Rg and UIS tested Material categorization for definitions of compliance 1 1

Другие IGBT... SIS822DNT, SIS862DN, SIS888DN, SIS890DN, SIS892ADN, SIS892DN, SIS902DN, SIS990DN, AOD4184A, SISA10DN, SISA12ADN, SISA12DN, SISA14DN, SISA18ADN, SISA18DN, SISS23DN, SISS40DN