Справочник MOSFET. SISA04DN

 

SISA04DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SISA04DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1040 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00215 Ohm
   Тип корпуса: 1212-8
 

 Аналог (замена) для SISA04DN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SISA04DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:577K  vishay
 sisa04dn.pdf pdf_icon

SISA04DN

New ProductSiSA04DNVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)f Qg (Typ.)Definition0.00215 at VGS = 10 V 40g TrenchFET Gen IV Power MOSFET30 22.5 nC0.0031 at VGS = 4.5 V 40g 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK 12

 9.1. Size:240K  vishay
 sisa01dn.pdf pdf_icon

SISA04DN

SiSA01DNwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8 SingleD TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFETD8D Provides exceptionally low RDS(ON) in a compact 7D6package that is thermally enhanced5 Enables higher power density 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of compliance 11

Другие MOSFET... SIS822DNT , SIS862DN , SIS888DN , SIS890DN , SIS892ADN , SIS892DN , SIS902DN , SIS990DN , HY1906P , SISA10DN , SISA12ADN , SISA12DN , SISA14DN , SISA18ADN , SISA18DN , SISS23DN , SISS40DN .

History: NCEP040N10GU | IRF8736 | IRF7807ATRPBF-1 | SFG10S12DF | FDC8878 | SRT10N230LD | SIR626DP

 

 
Back to Top

 


 
.