SISS23DN Todos los transistores

 

SISS23DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SISS23DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.9 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 195 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 835 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: 1212-8S
     - Selección de transistores por parámetros

 

SISS23DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  vishay
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SISS23DN

SiSS23DNVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Small Size and Low 0.75 mm 0.0045 at VGS = - 4.5 V - 50eProfile- 20 0.0063 at VGS = - 2.5 V - 50e 93 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0115 at VGS = - 1.8 V - 50e Materia

 9.1. Size:1423K  vishay
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SISS23DN

SiSS27DNwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Low thermal resistance PowerPAK package 0.0056 at VGS = -10 V -50 ewith small size and low 0.75 mm profile-30 0.0070 at VGS = -6 V -50 e 45 nC 100 % Rg and UIS tested0.0090 at VGS = -4.5 V -50 e Mat

 9.2. Size:296K  vishay
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SISS23DN

SiSS27ADNwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8SD TrenchFET Gen III p-channel power MOSFETD8D7 Low thermal resistance PowerPAK packageD65 with small size and low 0.75 mm profile 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of compliance please see12S www.vishay.com/doc?99912

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History: 2SJ362 | PMN50UPE

 

 
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