SISS23DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SISS23DN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.9 VQgⓘ - Carga de la puerta: 195 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 835 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
Paquete / Cubierta: 1212-8S
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SISS23DN
SISS23DN Datasheet (PDF)
siss23dn.pdf
SiSS23DNVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Small Size and Low 0.75 mm 0.0045 at VGS = - 4.5 V - 50eProfile- 20 0.0063 at VGS = - 2.5 V - 50e 93 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0115 at VGS = - 1.8 V - 50e Materia
siss27dn.pdf
SiSS27DNwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Low thermal resistance PowerPAK package 0.0056 at VGS = -10 V -50 ewith small size and low 0.75 mm profile-30 0.0070 at VGS = -6 V -50 e 45 nC 100 % Rg and UIS tested0.0090 at VGS = -4.5 V -50 e Mat
siss27adn.pdf
SiSS27ADNwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8SD TrenchFET Gen III p-channel power MOSFETD8D7 Low thermal resistance PowerPAK packageD65 with small size and low 0.75 mm profile 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of compliance please see12S www.vishay.com/doc?99912
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Liste
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