SISS23DN Todos los transistores

 

SISS23DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SISS23DN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 4.8 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 8 V

Corriente continua de drenaje (Id): 27 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 0.9 V

Carga de compuerta (Qg): 195 nC

Tiempo de elevación (tr): 50 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 835 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0045 Ohm

Empaquetado / Estuche: 1212-8S

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SISS23DN

 

SISS23DN Datasheet (PDF)

1.1. siss23dn.pdf Size:261K _update-mosfet

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SiSS23DN Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • TrenchFET® Power MOSFET VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) • Low Thermal Resistance PowerPAK® Package with Small Size and Low 0.75 mm 0.0045 at VGS = - 4.5 V - 50e Profile - 20 0.0063 at VGS = - 2.5 V - 50e 93 nC • 100 % Rg and UIS Tested 0.0115 at VGS = - 1.8 V - 50e • Materia

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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