Справочник MOSFET. SISS23DN

 

SISS23DN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SISS23DN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 4.8 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 0.9 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 27 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 195 nC

Время нарастания (tr): 50 ns

Выходная емкость (Cd): 835 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0045 Ohm

Тип корпуса: 1212-8S

Аналог (замена) для SISS23DN

 

 

SISS23DN Datasheet (PDF)

1.1. siss23dn.pdf Size:261K _update-mosfet

SISS23DN
SISS23DN

SiSS23DN Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • TrenchFET® Power MOSFET VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) • Low Thermal Resistance PowerPAK® Package with Small Size and Low 0.75 mm 0.0045 at VGS = - 4.5 V - 50e Profile - 20 0.0063 at VGS = - 2.5 V - 50e 93 nC • 100 % Rg and UIS Tested 0.0115 at VGS = - 1.8 V - 50e • Materia

Другие MOSFET... CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 , CEM3083 , CEM3301 , CEM3307 , CEM3317 , CEM3405L , BUZ10 , CEM4201 , CEM4207 , CEM4301 , CEM4311 , CEM4435A , CEM4948 , CEM4953 , CEM4953A .

 

 
Back to Top

 


SISS23DN
  SISS23DN
  SISS23DN
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: UPA2700GR | UPA2680T1E | UPA2672T1R | UPA2670T1R | UPA2650T1E | UPA2593T1H | UPA2592T1H | UPA2591T1H | UPA2590T1H | UPA2562T1H | UPA2561T1H | UPA2560T1H | UPA2560 | UPA2550T1H | UPA2550 |
 

 

 

 

 

Back to Top