Справочник MOSFET. SISS23DN

 

SISS23DN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SISS23DN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 4.8 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 0.9 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 27 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 195 nC

Время нарастания (tr): 50 ns

Выходная емкость (Cd): 835 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0045 Ohm

Тип корпуса: 1212-8S

Аналог (замена) для SISS23DN

 

 

SISS23DN Datasheet (PDF)

1.1. siss23dn.pdf Size:261K _update-mosfet

SISS23DN
SISS23DN

SiSS23DN Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • TrenchFET® Power MOSFET VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) • Low Thermal Resistance PowerPAK® Package with Small Size and Low 0.75 mm 0.0045 at VGS = - 4.5 V - 50e Profile - 20 0.0063 at VGS = - 2.5 V - 50e 93 nC • 100 % Rg and UIS Tested 0.0115 at VGS = - 1.8 V - 50e • Materia

Другие MOSFET... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
Back to Top

 


SISS23DN
  SISS23DN
  SISS23DN
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: BUK637-400B | BUK437-500A | CMI80N06 | CMB80N06 | CMP80N06 | MTY30N50E | 2SK3262-01MR | VN88AF | TK290P60Y | SW069R10VS | SUP70040E | SUD25N15-52-E3 | STP30NF10FP | SKS10N20 | SiHA11N80E |
 

 

 

 

Back to Top