SISS40DN Todos los transistores

 

SISS40DN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SISS40DN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm

Encapsulados: 1212-8S

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SISS40DN datasheet

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SISS40DN

SiSS40DN Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY ThunderFET Technology Optimizes Balance VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) of RDS(on), Qg, Qsw and Qoss 0.0210 at VGS = 10 V 36.5 100 % Rg and UIS Tested Material categorization 100 0.0230 at VGS = 7.5 V 35 10 nC For definitions of compliance please see 0.0260 at VGS = 6 V 3

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