SISS40DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SISS40DN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
Paquete / Cubierta: 1212-8S
Búsqueda de reemplazo de SISS40DN MOSFET
SISS40DN Datasheet (PDF)
siss40dn.pdf

SiSS40DNVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET Technology Optimizes BalanceVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)f Qg (Typ.)of RDS(on), Qg, Qsw and Qoss0.0210 at VGS = 10 V 36.5 100 % Rg and UIS Tested Material categorization:100 0.0230 at VGS = 7.5 V 35 10 nCFor definitions of compliance please see0.0260 at VGS = 6 V 3
Otros transistores... SISA04DN , SISA10DN , SISA12ADN , SISA12DN , SISA14DN , SISA18ADN , SISA18DN , SISS23DN , IRF740 , SIX3439K , SIZ300DT , SIZ340DT , SIZ342DT , SIZ702DT , SIZ704DT , SIZ710DT , 2SK1871 .
History: IXFH60N65X2 | NCEP15T14T | FDD6637F085 | DMN3112S
History: IXFH60N65X2 | NCEP15T14T | FDD6637F085 | DMN3112S



Liste
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