SISS40DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SISS40DN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 3.7 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 9.7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3.5 V

Carga de compuerta (Qg): 16 nC

Tiempo de elevación (tr): 5 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 220 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.021 Ohm

Empaquetado / Estuche: 1212-8S

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SISS40DN Datasheet (PDF)

1.1. siss40dn.pdf Size:210K _update-mosfet

SiSS40DN Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • ThunderFET® Technology Optimizes Balance VDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) of RDS(on), Qg, Qsw and Qoss 0.0210 at VGS = 10 V 36.5 • 100 % Rg and UIS Tested • Material categorization: 100 0.0230 at VGS = 7.5 V 35 10 nC For definitions of compliance please see 0.0260 at VGS = 6 V 3

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