SISS40DN Todos los transistores

 

SISS40DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SISS40DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
   Paquete / Cubierta: 1212-8S
 

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SISS40DN Datasheet (PDF)

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SISS40DN

SiSS40DNVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET Technology Optimizes BalanceVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)f Qg (Typ.)of RDS(on), Qg, Qsw and Qoss0.0210 at VGS = 10 V 36.5 100 % Rg and UIS Tested Material categorization:100 0.0230 at VGS = 7.5 V 35 10 nCFor definitions of compliance please see0.0260 at VGS = 6 V 3

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History: IRLR8259 | PHD97NQ03LT | OSG65R360DEF | STF9N60M2 | 2SK1189 | AFN7002KAS | IXTK140N30P

 

 
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