Справочник MOSFET. SISS40DN

 

SISS40DN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SISS40DN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.7 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.7 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 16 nC

Время нарастания (tr): 5 ns

Выходная емкость (Cd): 220 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.021 Ohm

Тип корпуса: 1212-8S

Аналог (замена) для SISS40DN

 

 

SISS40DN Datasheet (PDF)

1.1. siss40dn.pdf Size:210K _update-mosfet

SISS40DN SISS40DN

SiSS40DN Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • ThunderFET® Technology Optimizes Balance VDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) of RDS(on), Qg, Qsw and Qoss 0.0210 at VGS = 10 V 36.5 • 100 % Rg and UIS Tested • Material categorization: 100 0.0230 at VGS = 7.5 V 35 10 nC For definitions of compliance please see 0.0260 at VGS = 6 V 3

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top