SISS40DN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SISS40DN  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm

Тип корпуса: 1212-8S

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SISS40DN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SISS40DN даташит

 ..1. Size:210K  vishay
 siss40dn.pdf pdf_icon

SISS40DN

SiSS40DN Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY ThunderFET Technology Optimizes Balance VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) of RDS(on), Qg, Qsw and Qoss 0.0210 at VGS = 10 V 36.5 100 % Rg and UIS Tested Material categorization 100 0.0230 at VGS = 7.5 V 35 10 nC For definitions of compliance please see 0.0260 at VGS = 6 V 3

Другие IGBT... SISA04DN, SISA10DN, SISA12ADN, SISA12DN, SISA14DN, SISA18ADN, SISA18DN, SISS23DN, IRF740, SIX3439K, SIZ300DT, SIZ340DT, SIZ342DT, SIZ702DT, SIZ704DT, SIZ710DT, 2SK1871