SISS40DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SISS40DN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
Тип корпуса: 1212-8S
Аналог (замена) для SISS40DN
SISS40DN Datasheet (PDF)
siss40dn.pdf

SiSS40DNVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY ThunderFET Technology Optimizes BalanceVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)f Qg (Typ.)of RDS(on), Qg, Qsw and Qoss0.0210 at VGS = 10 V 36.5 100 % Rg and UIS Tested Material categorization:100 0.0230 at VGS = 7.5 V 35 10 nCFor definitions of compliance please see0.0260 at VGS = 6 V 3
Другие MOSFET... SISA04DN , SISA10DN , SISA12ADN , SISA12DN , SISA14DN , SISA18ADN , SISA18DN , SISS23DN , IRF740 , SIX3439K , SIZ300DT , SIZ340DT , SIZ342DT , SIZ702DT , SIZ704DT , SIZ710DT , 2SK1871 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710