SISS40DN - описание и поиск аналогов

 

SISS40DN - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SISS40DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: 1212-8S
 

 Аналог (замена) для SISS40DN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SISS40DN технические параметры

 ..1. Size:210K  vishay
 siss40dn.pdf pdf_icon

SISS40DN

SiSS40DN Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY ThunderFET Technology Optimizes Balance VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)f Qg (Typ.) of RDS(on), Qg, Qsw and Qoss 0.0210 at VGS = 10 V 36.5 100 % Rg and UIS Tested Material categorization 100 0.0230 at VGS = 7.5 V 35 10 nC For definitions of compliance please see 0.0260 at VGS = 6 V 3

Другие MOSFET... SISA04DN , SISA10DN , SISA12ADN , SISA12DN , SISA14DN , SISA18ADN , SISA18DN , SISS23DN , IRF740 , SIX3439K , SIZ300DT , SIZ340DT , SIZ342DT , SIZ702DT , SIZ704DT , SIZ710DT , 2SK1871 .

History: HTS120N03

 

 
Back to Top

 


 
.