SIZ300DT Todos los transistores

 

SIZ300DT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIZ300DT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAIR3X3
 

 Búsqueda de reemplazo de SIZ300DT MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SIZ300DT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:325K  vishay
 siz300dt.pdf pdf_icon

SIZ300DT

New ProductSiZ300DTVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY PowerPAIR Optimizes High-Side and Low-Side VDS (V) RDS(on) () MOSFETs for Synchronous Buck ConvertersID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power Mosfets0.0240 at VGS = 10 V 11Channel-1 30 3.5 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0320 at VGS = 4.5 V 11 Material categoriza

Otros transistores... SISA12ADN , SISA12DN , SISA14DN , SISA18ADN , SISA18DN , SISS23DN , SISS40DN , SIX3439K , 20N60 , SIZ340DT , SIZ342DT , SIZ702DT , SIZ704DT , SIZ710DT , 2SK1871 , 2SK2153 , 2SK2164 .

History: MMBF4393 | PX5S6JZ

 

 
Back to Top

 


 
.