SIZ300DT Todos los transistores

 

SIZ300DT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIZ300DT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAIR3X3
 

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SIZ300DT Datasheet (PDF)

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SIZ300DT

New ProductSiZ300DTVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY PowerPAIR Optimizes High-Side and Low-Side VDS (V) RDS(on) () MOSFETs for Synchronous Buck ConvertersID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power Mosfets0.0240 at VGS = 10 V 11Channel-1 30 3.5 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0320 at VGS = 4.5 V 11 Material categoriza

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History: NTP6413ANG | SI6423DQ

 

 
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