SIZ300DT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIZ300DT  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: POWERPAIR3X3

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SIZ300DT datasheet

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SIZ300DT

New Product SiZ300DT Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY PowerPAIR Optimizes High-Side and Low-Side VDS (V) RDS(on) ( ) MOSFETs for Synchronous Buck Converters ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power Mosfets 0.0240 at VGS = 10 V 11 Channel-1 30 3.5 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0320 at VGS = 4.5 V 11 Material categoriza

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