SIZ300DT Todos los transistores

 

SIZ300DT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIZ300DT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 3.7 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 9.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.4 V

Carga de compuerta (Qg): 7.4 nC

Tiempo de elevación (tr): 45 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 125 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.024 Ohm

Empaquetado / Estuche: PowerPAIR3X3

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SIZ300DT Datasheet (PDF)

1.1. siz300dt.pdf Size:325K _update-mosfet

SIZ300DT
SIZ300DT

New Product SiZ300DT Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY • PowerPAIR Optimizes High-Side and Low-Side VDS (V) RDS(on) () MOSFETs for Synchronous Buck Converters ID (A)a Qg (Typ.) • TrenchFET® Power Mosfets 0.0240 at VGS = 10 V 11 Channel-1 30 3.5 nC • 100 % Rg and UIS Tested 0.0320 at VGS = 4.5 V 11 • Material categoriza

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