SIZ300DT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIZ300DT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERPAIR3X3
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SIZ300DT PDF Specs
siz300dt.pdf
New Product SiZ300DT Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY PowerPAIR Optimizes High-Side and Low-Side VDS (V) RDS(on) ( ) MOSFETs for Synchronous Buck Converters ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power Mosfets 0.0240 at VGS = 10 V 11 Channel-1 30 3.5 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0320 at VGS = 4.5 V 11 Material categoriza... See More ⇒
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History: SIZ702DT
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Liste
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