Справочник MOSFET. SIZ300DT

 

SIZ300DT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SIZ300DT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.7 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.8 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 7.4 nC

Время нарастания (tr): 45 ns

Выходная емкость (Cd): 125 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.024 Ohm

Тип корпуса: PowerPAIR3X3

Аналог (замена) для SIZ300DT

 

 

SIZ300DT Datasheet (PDF)

1.1. siz300dt.pdf Size:325K _update-mosfet

SIZ300DT
SIZ300DT

New Product SiZ300DT Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY • PowerPAIR Optimizes High-Side and Low-Side VDS (V) RDS(on) () MOSFETs for Synchronous Buck Converters ID (A)a Qg (Typ.) • TrenchFET® Power Mosfets 0.0240 at VGS = 10 V 11 Channel-1 30 3.5 nC • 100 % Rg and UIS Tested 0.0320 at VGS = 4.5 V 11 • Material categoriza

Другие MOSFET... GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , IRF250 , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL , FDMS3604S , GWM100-01X1-SMD , FDMS3602AS , GWM120-0075X1-SL .

 

 
Back to Top