SIZ300DT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIZ300DT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: POWERPAIR3X3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SIZ300DT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIZ300DT даташит

 ..1. Size:325K  vishay
 siz300dt.pdf pdf_icon

SIZ300DT

New Product SiZ300DT Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY PowerPAIR Optimizes High-Side and Low-Side VDS (V) RDS(on) ( ) MOSFETs for Synchronous Buck Converters ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power Mosfets 0.0240 at VGS = 10 V 11 Channel-1 30 3.5 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0320 at VGS = 4.5 V 11 Material categoriza

Другие IGBT... SISA12ADN, SISA12DN, SISA14DN, SISA18ADN, SISA18DN, SISS23DN, SISS40DN, SIX3439K, 20N60, SIZ340DT, SIZ342DT, SIZ702DT, SIZ704DT, SIZ710DT, 2SK1871, 2SK2153, 2SK2164