SIZ300DT - аналоги и даташиты транзистора

 

SIZ300DT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SIZ300DT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAIR3X3
 

 Аналог (замена) для SIZ300DT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIZ300DT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:325K  vishay
 siz300dt.pdf pdf_icon

SIZ300DT

New ProductSiZ300DTVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY PowerPAIR Optimizes High-Side and Low-Side VDS (V) RDS(on) () MOSFETs for Synchronous Buck ConvertersID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power Mosfets0.0240 at VGS = 10 V 11Channel-1 30 3.5 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0320 at VGS = 4.5 V 11 Material categoriza

Другие MOSFET... SISA12ADN , SISA12DN , SISA14DN , SISA18ADN , SISA18DN , SISS23DN , SISS40DN , SIX3439K , 20N60 , SIZ340DT , SIZ342DT , SIZ702DT , SIZ704DT , SIZ710DT , 2SK1871 , 2SK2153 , 2SK2164 .

History: SE12060GA | VS3510DS | STF13N60DM2 | RUH1H150R-A | BLM16N10-P | IPB240N04S4-1R0 | 30N06

 

 
Back to Top

 


 
.