SIZ342DT Todos los transistores

 

SIZ342DT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIZ342DT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 236 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAIR3X3
 

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SIZ342DT PDF Specs

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SiZ342DT www.vishay.com Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY PowerPAIR optimizes high-side and low-side VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) Qg (Typ.) MOSFETs for synchronous buck converters Channel-1 0.0115 at VGS = 10 V 30 a TrenchFET Gen IV power MOSFETs and 30 4.5 nC 0.0153 at VGS = 4.5 V 27.5 Channel-2 100 % Rg and UIS tested... See More ⇒

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SiZ340DT www.vishay.com Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY PowerPAIR Optimizes high-side and VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) Qg (Typ.) low-side MOSFETs for synchronous buck 0.0095 at VGS = 10 V 30 a converters Channel-1 30 5.6 nC 0.0137 at VGS = 4.5 V 22 TrenchFET power Mosfets 0.0051 at VGS = 10 V 100 % Rg and UIS tested ... See More ⇒

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SiZ346DT www.vishay.com Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs FEATURES PowerPAIR 3 x 3 G2 S2 8 TrenchFET Gen IV power MOSFETs S2 7 S2 6 100 % Rg and UIS tested 5 S1/D2 Optimized Qgs/Qgs ratio improves switching (Pin 9) D1 characteristics 1 Material categorization 2 G1 3 D1 for definitions of compliance please see 1 1 4 D1 www.vishay.co... See More ⇒

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