Справочник MOSFET. SIZ342DT

 

SIZ342DT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SIZ342DT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.7 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15.6 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 10 nC

Время нарастания (tr): 50 ns

Выходная емкость (Cd): 236 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0115 Ohm

Тип корпуса: PowerPAIR3X3

Аналог (замена) для SIZ342DT

 

 

SIZ342DT Datasheet (PDF)

1.1. siz342dt.pdf Size:1261K _update-mosfet

SIZ342DT
SIZ342DT

SiZ342DT www.vishay.com Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • PowerPAIR® optimizes high-side and low-side VDS (V) RDS(on) (Ω) MAX. ID (A) Qg (Typ.) MOSFETs for synchronous buck converters Channel-1 0.0115 at VGS = 10 V 30 a • TrenchFET® Gen IV power MOSFETs and 30 4.5 nC 0.0153 at VGS = 4.5 V 27.5 Channel-2 • 100 % Rg and UIS tested

5.1. siz340dt.pdf Size:362K _update-mosfet

SIZ342DT
SIZ342DT

SiZ340DT www.vishay.com Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • PowerPAIR® Optimizes high-side and VDS (V) RDS(on) (Ω) MAX. ID (A) Qg (Typ.) low-side MOSFETs for synchronous buck 0.0095 at VGS = 10 V 30 a converters Channel-1 30 5.6 nC 0.0137 at VGS = 4.5 V 22 • TrenchFET® power Mosfets 0.0051 at VGS = 10 V • 100 % Rg and UIS tested

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top