SIZ710DT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIZ710DT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 3.9 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 16 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.2 V

Carga de compuerta (Qg): 11.5 nC

Tiempo de elevación (tr): 15 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 290 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0068 Ohm

Empaquetado / Estuche: PowerPAIR6X3.7

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SIZ710DT Datasheet (PDF)

1.1. siz710dt.pdf Size:186K _update-mosfet

SiZ710DT Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) Definition • TrenchFET® Power MOSFETs 0.0068 at VGS = 10 V 16a Channel-1 20 6.9 nC • 100 % Rg and UIS Tested 0.0090 at VGS = 4.5 V 16a • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.0033 at VGS = 10 V 35a AP

1.2. siz710dt.pdf Size:169K _vishay