SIZ710DT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIZ710DT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 3.9 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 16 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.2 V
Carga de compuerta (Qg): 11.5 nC
Tiempo de elevación (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 290 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0068 Ohm
Empaquetado / Estuche: PowerPAIR6X3.7
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SIZ710DT
SIZ710DT Datasheet (PDF)
1.1. siz710dt.pdf Size:186K _update-mosfet
SiZ710DT Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) Definition • TrenchFET® Power MOSFETs 0.0068 at VGS = 10 V 16a Channel-1 20 6.9 nC • 100 % Rg and UIS Tested 0.0090 at VGS = 4.5 V 16a • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.0033 at VGS = 10 V 35a AP
1.2. siz710dt.pdf Size:169K _vishay
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .



Liste
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