SIZ710DT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIZ710DT  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0068 Ohm

Encapsulados: POWERPAIR6X3.7

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SIZ710DT datasheet

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SIZ710DT

SiZ710DT Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFETs 0.0068 at VGS = 10 V 16a Channel-1 20 6.9 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0090 at VGS = 4.5 V 16a Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.0033 at VGS = 10 V 35a AP

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