SIZ710DT Todos los transistores

 

SIZ710DT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIZ710DT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0068 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAIR6X3.7
 

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SIZ710DT Datasheet (PDF)

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SIZ710DT

SiZ710DTVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFETs0.0068 at VGS = 10 V 16aChannel-1 20 6.9 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0090 at VGS = 4.5 V 16a Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.0033 at VGS = 10 V 35aAP

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History: IRFR3704 | SFP6N40 | IRFB5620 | IRLZ14L | RU7588R3 | SSP65R065SFD3 | WNM07N65

 

 
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