Справочник MOSFET. SIZ710DT

 

SIZ710DT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SIZ710DT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.9 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 16 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 11.5 nC

Время нарастания (tr): 15 ns

Выходная емкость (Cd): 290 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0068 Ohm

Тип корпуса: PowerPAIR6X3.7

Аналог (замена) для SIZ710DT

 

 

SIZ710DT Datasheet (PDF)

1.1. siz710dt.pdf Size:186K _update-mosfet

SIZ710DT
SIZ710DT

SiZ710DT Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) Definition • TrenchFET® Power MOSFETs 0.0068 at VGS = 10 V 16a Channel-1 20 6.9 nC • 100 % Rg and UIS Tested 0.0090 at VGS = 4.5 V 16a • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.0033 at VGS = 10 V 35a AP

1.2. siz710dt.pdf Size:169K _vishay

SIZ710DT
SIZ710DT

 

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


SIZ710DT
  SIZ710DT
  SIZ710DT
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: US6U37 | US6M2 | US6M11 | US6M1 | US6K4 | US6K2 | US6K1 | US6J11 | US5U38 | US5U35 | US5U30 | US5U3 | US5U29TR | US5U2 | US5U1 |
 

 

 

 

 

Back to Top