Справочник MOSFET. SIZ710DT

 

SIZ710DT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIZ710DT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAIR6X3.7
 

 Аналог (замена) для SIZ710DT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIZ710DT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:186K  vishay
 siz710dt.pdf pdf_icon

SIZ710DT

SiZ710DTVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETsFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFETs0.0068 at VGS = 10 V 16aChannel-1 20 6.9 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0090 at VGS = 4.5 V 16a Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.0033 at VGS = 10 V 35aAP

Другие MOSFET... SISS23DN , SISS40DN , SIX3439K , SIZ300DT , SIZ340DT , SIZ342DT , SIZ702DT , SIZ704DT , IRFZ44 , 2SK1871 , 2SK2153 , 2SK2164 , 2SK2317 , 2SK2318 , 2SK2321 , 2SK2403 , 2SK2432 .

History: PSMN4R3-80BS | WMJ07N105C2 | SI7358ADP | NCE20PD05 | IRLI3705NPBF | IRLB3034 | SFP035N95C3

 

 
Back to Top

 


 
.