SIZ710DT - описание и поиск аналогов

 

SIZ710DT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIZ710DT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm

Тип корпуса: POWERPAIR6X3.7

Аналог (замена) для SIZ710DT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIZ710DT даташит

 ..1. Size:186K  vishay
 siz710dt.pdf pdf_icon

SIZ710DT

SiZ710DT Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFETs FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFETs 0.0068 at VGS = 10 V 16a Channel-1 20 6.9 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0090 at VGS = 4.5 V 16a Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.0033 at VGS = 10 V 35a AP

Другие MOSFET... SISS23DN , SISS40DN , SIX3439K , SIZ300DT , SIZ340DT , SIZ342DT , SIZ702DT , SIZ704DT , IRFZ44 , 2SK1871 , 2SK2153 , 2SK2164 , 2SK2317 , 2SK2318 , 2SK2321 , 2SK2403 , 2SK2432 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.