RFF60P06 Todos los transistores

 

RFF60P06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RFF60P06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO254AA
 

 Búsqueda de reemplazo de RFF60P06 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RFF60P06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  intersil
rff60p06.pdf pdf_icon

RFF60P06

RFF60P06Data Sheet September 1998 File Number 3975.225A, 60V, 0.030 Ohm, P-Channel Power FeaturesMOSFET 25A, 60VThe RFF60P06 P-Channel power MOSFET is manufactured rDS(ON) = 0.030using the MegaFET process. This process, which uses Temperature Compensating PSPICE Modelfeature sizes approaching those of LSI circuits givesoptimum utilization of silicon, resulti

Otros transistores... RFD7N10LE , RFD7N10LESM , RFD8P05 , RFD8P05SM , RFD8P06E , RFD8P06ESM , RFD8P06LE , RFD8P06LESM , AON6414A , RFF70N06 , RFG30P05 , RFG30P06 , RFG40N10 , RFG40N10LE , RFG45N06 , RFG45N06LE , RFG50N05L .

 

 
Back to Top

 


RFF60P06
  RFF60P06
  RFF60P06
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AP50N20MP | AP50N10P | AP50N10D | AP50N06NF | AP50N06D | AP50N05D | AP50N04D | AP50N03DF | AP50N03D | AP50N03AD | AP50H06NF | AP50G03GD | AP4P05MI | AP4N15MI | AP4N10MI | AP2320MI

 

 

 
Back to Top

 

Popular searches

c3998 | c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r

 


 
.