RFF60P06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RFF60P06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1800 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: TO254AA

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RFF60P06 datasheet

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RFF60P06

RFF60P06 Data Sheet September 1998 File Number 3975.2 25A , 60V, 0.030 Ohm, P-Channel Power Features MOSFET 25A, 60V The RFF60P06 P-Channel power MOSFET is manufactured rDS(ON) = 0.030 using the MegaFET process. This process, which uses Temperature Compensating PSPICE Model feature sizes approaching those of LSI circuits gives optimum utilization of silicon, resulti

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