RFF60P06 Todos los transistores

 

RFF60P06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RFF60P06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO254AA
     - Selección de transistores por parámetros

 

RFF60P06 Datasheet (PDF)

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RFF60P06

RFF60P06Data Sheet September 1998 File Number 3975.225A, 60V, 0.030 Ohm, P-Channel Power FeaturesMOSFET 25A, 60VThe RFF60P06 P-Channel power MOSFET is manufactured rDS(ON) = 0.030using the MegaFET process. This process, which uses Temperature Compensating PSPICE Modelfeature sizes approaching those of LSI circuits givesoptimum utilization of silicon, resulti

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History: DKI06261 | SWHA15N04V | IPA65R280E6 | IRF7316QPBF | NTTFS4937N | FQU1N50TU | SSF65R120S2

 

 
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