RFF60P06 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RFF60P06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1800 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: TO254AA
Аналог (замена) для RFF60P06
RFF60P06 Datasheet (PDF)
rff60p06.pdf

RFF60P06Data Sheet September 1998 File Number 3975.225A, 60V, 0.030 Ohm, P-Channel Power FeaturesMOSFET 25A, 60VThe RFF60P06 P-Channel power MOSFET is manufactured rDS(ON) = 0.030using the MegaFET process. This process, which uses Temperature Compensating PSPICE Modelfeature sizes approaching those of LSI circuits givesoptimum utilization of silicon, resulti
Другие MOSFET... RFD7N10LE , RFD7N10LESM , RFD8P05 , RFD8P05SM , RFD8P06E , RFD8P06ESM , RFD8P06LE , RFD8P06LESM , IRFP250N , RFF70N06 , RFG30P05 , RFG30P06 , RFG40N10 , RFG40N10LE , RFG45N06 , RFG45N06LE , RFG50N05L .
History: SPA22N65G | KIA2906A-247 | FHP12N65C | TMP5N60Z | BRD65R1K0C | FDMS0308AS | TMP6N65
History: SPA22N65G | KIA2906A-247 | FHP12N65C | TMP5N60Z | BRD65R1K0C | FDMS0308AS | TMP6N65



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
c3998 | c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r