RFF60P06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RFF60P06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO254AA

Аналог (замена) для RFF60P06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFF60P06 даташит

 ..1. Size:95K  intersil
 rff60p06.pdf pdf_icon

RFF60P06

RFF60P06 Data Sheet September 1998 File Number 3975.2 25A , 60V, 0.030 Ohm, P-Channel Power Features MOSFET 25A, 60V The RFF60P06 P-Channel power MOSFET is manufactured rDS(ON) = 0.030 using the MegaFET process. This process, which uses Temperature Compensating PSPICE Model feature sizes approaching those of LSI circuits gives optimum utilization of silicon, resulti

Другие IGBT... RFD7N10LE, RFD7N10LESM, RFD8P05, RFD8P05SM, RFD8P06E, RFD8P06ESM, RFD8P06LE, RFD8P06LESM, IRFB4115, RFF70N06, RFG30P05, RFG30P06, RFG40N10, RFG40N10LE, RFG45N06, RFG45N06LE, RFG50N05L