RFF60P06 - аналоги и даташиты транзистора

 

 

RFF60P06 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RFF60P06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1800 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO254AA
 

 Аналог (замена) для RFF60P06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

 

RFF60P06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  intersil
 rff60p06.pdf pdf_icon

RFF60P06

RFF60P06Data Sheet September 1998 File Number 3975.225A, 60V, 0.030 Ohm, P-Channel Power FeaturesMOSFET 25A, 60VThe RFF60P06 P-Channel power MOSFET is manufactured rDS(ON) = 0.030using the MegaFET process. This process, which uses Temperature Compensating PSPICE Modelfeature sizes approaching those of LSI circuits givesoptimum utilization of silicon, resulti

Другие MOSFET... RFD7N10LE , RFD7N10LESM , RFD8P05 , RFD8P05SM , RFD8P06E , RFD8P06ESM , RFD8P06LE , RFD8P06LESM , IRFB4115 , RFF70N06 , RFG30P05 , RFG30P06 , RFG40N10 , RFG40N10LE , RFG45N06 , RFG45N06LE , RFG50N05L .

History: PHX27NQ11T | PHX23NQ11T | BLM30DN06L-E

 

 
Back to Top

 


 
.