RFF70N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RFF70N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: TO254AA
Búsqueda de reemplazo de RFF70N06 MOSFET
RFF70N06 Datasheet (PDF)
rff70n06.pdf

RFF70N06Data Sheet March 1999 File Number 4073.225A, 60V, 0.025 Ohm, N-Channel Power FeaturesMOSFET 25A, 60VThe RFF70N06 N-Channel power MOSFET is manufactured rDS(ON) = 0.025using the MegaFET process. This process, which uses Temperature Compensating PSPICE Modelfeature sizes approaching those of LSI circuits givesoptimum utilization of silicon, resulting
Otros transistores... RFD7N10LESM , RFD8P05 , RFD8P05SM , RFD8P06E , RFD8P06ESM , RFD8P06LE , RFD8P06LESM , RFF60P06 , IRF9540 , RFG30P05 , RFG30P06 , RFG40N10 , RFG40N10LE , RFG45N06 , RFG45N06LE , RFG50N05L , RFG50N06 .
History: IRLR6225PBF | SFF430 | HSS2308A | INK0001AU1 | AP80N04Q | GP1M003A050XG | 2SK3771-01MR
History: IRLR6225PBF | SFF430 | HSS2308A | INK0001AU1 | AP80N04Q | GP1M003A050XG | 2SK3771-01MR



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y