RFF70N06 Todos los transistores

 

RFF70N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RFF70N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO254AA
 

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RFF70N06 Datasheet (PDF)

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RFF70N06

RFF70N06Data Sheet March 1999 File Number 4073.225A, 60V, 0.025 Ohm, N-Channel Power FeaturesMOSFET 25A, 60VThe RFF70N06 N-Channel power MOSFET is manufactured rDS(ON) = 0.025using the MegaFET process. This process, which uses Temperature Compensating PSPICE Modelfeature sizes approaching those of LSI circuits givesoptimum utilization of silicon, resulting

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History: IRLR6225PBF | SFF430 | HSS2308A | INK0001AU1 | AP80N04Q | GP1M003A050XG | 2SK3771-01MR

 

 
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