Справочник MOSFET. RFF70N06

 

RFF70N06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RFF70N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO254AA

 Аналог (замена) для RFF70N06

 

 

RFF70N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:86K  intersil
rff70n06.pdf

RFF70N06
RFF70N06

RFF70N06Data Sheet March 1999 File Number 4073.225A, 60V, 0.025 Ohm, N-Channel Power FeaturesMOSFET 25A, 60VThe RFF70N06 N-Channel power MOSFET is manufactured rDS(ON) = 0.025using the MegaFET process. This process, which uses Temperature Compensating PSPICE Modelfeature sizes approaching those of LSI circuits givesoptimum utilization of silicon, resulting

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top