RFF70N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RFF70N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TO254AA

Аналог (замена) для RFF70N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFF70N06 даташит

 ..1. Size:86K  intersil
 rff70n06.pdf pdf_icon

RFF70N06

RFF70N06 Data Sheet March 1999 File Number 4073.2 25A, 60V, 0.025 Ohm, N-Channel Power Features MOSFET 25A , 60V The RFF70N06 N-Channel power MOSFET is manufactured rDS(ON) = 0.025 using the MegaFET process. This process, which uses Temperature Compensating PSPICE Model feature sizes approaching those of LSI circuits gives optimum utilization of silicon, resulting

Другие IGBT... RFD7N10LESM, RFD8P05, RFD8P05SM, RFD8P06E, RFD8P06ESM, RFD8P06LE, RFD8P06LESM, RFF60P06, 2N7000, RFG30P05, RFG30P06, RFG40N10, RFG40N10LE, RFG45N06, RFG45N06LE, RFG50N05L, RFG50N06