FW206 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FW206
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.074 Ohm
Encapsulados: SOP8
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FW206 datasheet
fw206.pdf
FW206 N- Channel Silicon MOS FET Very High-Speed Switching Applications TENTATIVE Features High density mounting is possible because of the complex type which holds two chips of a low on-resistance, Very-high speed switching and 4-volt-drive, N channel MOSFET in one package. The two chips have near characteristics Absolute Maximum Ratings / Ta=25 C unit Drain to Source V
Otros transistores... 2SK2637 , 2SK2773 , DG10N60 , DG10N60-TO220F , FS1KM-18A , FW201 , FW202 , FW203 , 12N60 , GP28S50XN220 , GP28S50XN220FP , GP28S50XN3P , GP28S50XN247 , GP28S50GN220 , GP28S50GN220FP , GP28S50GN3P , GP28S50GN247 .
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