FW206 Todos los transistores

 

FW206 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FW206
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.074 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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FW206 Datasheet (PDF)

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FW206

FW206N- Channel Silicon MOS FETVery High-Speed Switching ApplicationsTENTATIVEFeatures High density mounting is possible because of the complex type which holds two chips of a low on-resistance,Very-high speed switching and 4-volt-drive, N channel MOSFET in one package. The two chips have near characteristics Absolute Maximum Ratings / Ta=25CunitDrain to Source V

Otros transistores... 2SK2637 , 2SK2773 , DG10N60 , DG10N60-TO220F , FS1KM-18A , FW201 , FW202 , FW203 , 4N60 , GP28S50XN220 , GP28S50XN220FP , GP28S50XN3P , GP28S50XN247 , GP28S50GN220 , GP28S50GN220FP , GP28S50GN3P , GP28S50GN247 .

History: 2SK974L | TPC8103 | 2SJ567 | PW567EA | SJMN600R65CD | SRH03P098LD33TR-G | STB75NF75T4

 

 
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