FW206 Todos los transistores

 

FW206 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FW206

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.074 Ohm

Encapsulados: SOP8

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FW206 datasheet

 ..1. Size:11K  sanyo
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FW206

FW206 N- Channel Silicon MOS FET Very High-Speed Switching Applications TENTATIVE Features High density mounting is possible because of the complex type which holds two chips of a low on-resistance, Very-high speed switching and 4-volt-drive, N channel MOSFET in one package. The two chips have near characteristics Absolute Maximum Ratings / Ta=25 C unit Drain to Source V

Otros transistores... 2SK2637 , 2SK2773 , DG10N60 , DG10N60-TO220F , FS1KM-18A , FW201 , FW202 , FW203 , 12N60 , GP28S50XN220 , GP28S50XN220FP , GP28S50XN3P , GP28S50XN247 , GP28S50GN220 , GP28S50GN220FP , GP28S50GN3P , GP28S50GN247 .

 

 

 


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