FW206 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FW206
   Código: W206
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.7 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Voltaje de corte de la puerta |Vgs(off)|: 1 V
   Tiempo de subida (tr): 300 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 340 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.074 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FW206

FW206 Datasheet (PDF)

..1. Size:11K sanyo
fw206.pdf

FW206N- Channel Silicon MOS FETVery High-Speed Switching ApplicationsTENTATIVEFeatures High density mounting is possible because of the complex type which holds two chips of a low on-resistance,Very-high speed switching and 4-volt-drive, N channel MOSFET in one package. The two chips have near characteristics Absolute Maximum Ratings / Ta=25CunitDrain to Source V

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Liste

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