FW206 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FW206
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.074 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de FW206 MOSFET
FW206 Datasheet (PDF)
fw206.pdf
FW206N- Channel Silicon MOS FETVery High-Speed Switching ApplicationsTENTATIVEFeatures High density mounting is possible because of the complex type which holds two chips of a low on-resistance,Very-high speed switching and 4-volt-drive, N channel MOSFET in one package. The two chips have near characteristics Absolute Maximum Ratings / Ta=25CunitDrain to Source V
Otros transistores... 2SK2637 , 2SK2773 , DG10N60 , DG10N60-TO220F , FS1KM-18A , FW201 , FW202 , FW203 , 12N60 , GP28S50XN220 , GP28S50XN220FP , GP28S50XN3P , GP28S50XN247 , GP28S50GN220 , GP28S50GN220FP , GP28S50GN3P , GP28S50GN247 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
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