FW206 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FW206
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.074 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для FW206
FW206 Datasheet (PDF)
fw206.pdf

FW206N- Channel Silicon MOS FETVery High-Speed Switching ApplicationsTENTATIVEFeatures High density mounting is possible because of the complex type which holds two chips of a low on-resistance,Very-high speed switching and 4-volt-drive, N channel MOSFET in one package. The two chips have near characteristics Absolute Maximum Ratings / Ta=25CunitDrain to Source V
Другие MOSFET... 2SK2637 , 2SK2773 , DG10N60 , DG10N60-TO220F , FS1KM-18A , FW201 , FW202 , FW203 , IRF1010E , GP28S50XN220 , GP28S50XN220FP , GP28S50XN3P , GP28S50XN247 , GP28S50GN220 , GP28S50GN220FP , GP28S50GN3P , GP28S50GN247 .
History: IRFU9210PBF | PSA10N65C | SI5N60-TM3-T | RU1L002SN | AP90P03G | IXFP22N65X2M | ASDM30P11TD
History: IRFU9210PBF | PSA10N65C | SI5N60-TM3-T | RU1L002SN | AP90P03G | IXFP22N65X2M | ASDM30P11TD



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
ksa992 | irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830