GP28S50XN3P Todos los transistores

 

GP28S50XN3P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GP28S50XN3P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 255 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 104.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1766.7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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GP28S50XN3P Datasheet (PDF)

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GP28S50XN3P

GP28S50POWER FIELD EFFECT TRANSISTORGENERAL DESCRIPTION FEATURESThis high voltage MOSFET uses an advanced termination Robust High Voltage Terminationscheme to provide enhanced voltage-blocking capability Avalanche Energy Specifiedwithout degrading performance over time. In addition, this Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to aadvanced MOSFET is designed to wi

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History: WMO20P04T1 | 2SK4119LS | SWD076R68E7T | FDMS86150 | NTMFS6H836NL | NCEP25N10AQ | IPP08CNE8NG

 

 
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